- 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術——IPD2。這新工藝是公司增強既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精度、高性價比的集成無源元件，用于便攜電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。
HighQ™ IPD2工藝是安森美半導體定制代工
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安森美半導體 IPD HighQ
- 安森美半導體宣布，將其先進的制造工藝技術擴大到HighQ™硅-銅集成無源器件(IPD)的制造服務領域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無源器件相比，這創新的8英寸晶圓技術比原來較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。 安森美半導體的HighQ™ IPD工藝技術是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無源器件制造的理想選擇。對于便攜和無線應用，高性能等于延長電池壽命。 安森美半導體制造服務總經理Rich Carruth說：“目前，為了向市場推出具有價格競爭力的
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HighQ™ 安森美 電源技術 模擬技術
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