- Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統的高性能GaAsSb基區，InP集電區 DHBT IC 工藝被成功研發。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
- 關鍵字：
DHBT 技術 集成電路 晶體管 異質 雙極 GaAsSb
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