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格芯技術(shù)大會(huì)攜最新技術(shù)突出中國(guó)市場(chǎng)重要地位

近日，格芯2017技術(shù)大會(huì)（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會(huì)者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場(chǎng)推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時(shí)代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會(huì)，本次大會(huì)格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
關(guān)鍵字： GTC FDSOI FINFET 制程

局部應(yīng)變技術(shù)可望提高FDSOI性能

　　法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti宣布開(kāi)發(fā)出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導(dǎo)局部應(yīng)變的2種新技術(shù)，可望用于實(shí)現(xiàn)更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路。　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進(jìn)晶片中采用FDSOI，并視其為能夠達(dá)到世界級(jí)能效的方法，而且不必面對(duì)像FinFET制程的復(fù)雜性與高成本。　　晶格上的應(yīng)變通常用于增加傳統(tǒng)平面CMOS與FinFET CMOS的行動(dòng)性。如今，Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上
關(guān)鍵字： FDSOI

法機(jī)構(gòu)將于明年9月啟動(dòng)基于20nm FDSOI的300mm多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃

　　法國(guó)兩家半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項(xiàng)定于明年9月份啟動(dòng)的300mm多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃是由歐洲一個(gè)專門(mén)研究SOI技術(shù)的學(xué)術(shù)團(tuán)體EuroSOI+負(fù)責(zé)參與支持的。　　所謂的多項(xiàng)目芯片(multi-project wafer：MPW)，指的是在同一片晶圓上采用相同的制程制出不同電路設(shè)計(jì)的IC芯片，這樣可以為多家廠商或研究機(jī)構(gòu)的IC設(shè)計(jì)驗(yàn)證節(jié)約成本，非常適用于
關(guān)鍵字： FDSOI 20nm

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　　FDSOI技術(shù)即全耗盡型SOI技術(shù)，有些文獻(xiàn)上也寫(xiě)成ETSOI即超薄型SOI，具有非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，適合20nm及更高級(jí)別制程的移動(dòng)/消費(fèi)電子產(chǎn)品使用。　　FD-SOI是下一代晶體管結(jié)構(gòu)的熱門(mén)技術(shù)之一。目前制造晶體管的主流技術(shù)是采用體硅技術(shù)制作的32/28nm制程平面型晶體管。　　AMD，IBM以及其它部分廠商目前則在使用基于部分耗盡型SOI技術(shù)的平面型晶體管制造自己的處理器產(chǎn)品。相比之下，In [ 查看詳細(xì) ]

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法機(jī)構(gòu)將于明年9月啟動(dòng)基于20nm FDSOI的300mm多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃

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