cmos-ldo 文章 最新資訊
汽車電子供電革命:Nexperia新一代車規(guī)LDO如何破解電源痛點
- 汽車智能化浪潮中,精密電子系統(tǒng)的供電質(zhì)量已成為性能分水嶺。全球半導(dǎo)體巨頭Nexperia推出的NEX90x30/15-Q100系列車規(guī)級低壓差穩(wěn)壓器(LDO),以 45V瞬態(tài)耐壓能力 與 5.3μA超低靜態(tài)電流 的雙重突破,攻克了傳統(tǒng)電源模塊在冷啟動、啟停工況下的穩(wěn)定性難題。該產(chǎn)品系列通過AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證,為ADAS域控制器、車載攝像頭等噪聲敏感系統(tǒng)構(gòu)建起堅不可摧的"電力防線"。一、汽車電子供電的極境挑戰(zhàn)現(xiàn)代汽車電子系統(tǒng)面臨三
- 關(guān)鍵字: Nexperia LDO
走進芯片:CMOS反相器
- 以一個實際的CMOS反相器實物為例,從逆向的角度出發(fā),為大家簡單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程,希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實踐中,快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器,從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅實的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中,CMOS反相器通常由一個P型MOSFET和一個N型MOSFET組成。這兩個晶體管的源極和漏極分別相連,形成一個互補對稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號為低電平時,N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài),而P型MOSFET則導(dǎo)通,電流從電源流向輸出端,使得輸出端呈現(xiàn)高電平;反之,
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器 ISP
Diodes 公司的高 PSRR LDO 可在噪聲敏感型應(yīng)用中降低噪聲和紋波
- Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 宣布推出 AP7372 低噪聲低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器,用于為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環(huán) (PLL) 等精密元器件供電。AP7372 在寬頻率范圍內(nèi)的電源紋波抑制 (PSRR) 高達(dá) 90dB,而且輸出噪聲極低,僅為 8μVrms。這可幫助設(shè)計人員減少輸入源噪聲的影響,并滿足嚴(yán)格的輸出紋波和噪聲目標(biāo)。這對于測試和測量
- 關(guān)鍵字: Diodes PSRR LDO 噪聲敏感型應(yīng)用
GlobalFoundries 與中國代工廠合作,進行本地化汽車級 CMOS 生產(chǎn)
- 盡管第三季度前景疲軟,受消費者需求低迷影響,但 GlobalFoundries 正在中國采取大膽行動。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議,正在加速其“中國為中國”戰(zhàn)略,首期將啟動汽車級 CMOS 和 BCD 技術(shù),根據(jù)其 新聞稿 和 IT Home 的報道。如 IT之家所強調(diào),并援引公司高管的話,目標(biāo)訂單來自在中國有需求的國內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時,無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財報記錄,
- 關(guān)鍵字: CMOS 汽車電子 傳感器
CMOS 2.0:后納米芯片時代的分層邏輯
- 五十多年來,半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個簡單的方程式——縮小晶體管,在每片晶圓上封裝更多晶體管,并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個新節(jié)點在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測的提升,但這個公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個位數(shù)納米工藝,制造成本正在飆升,而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸,定義摩爾定律的自動性能提升正在減少。為了保持進步,芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個平面上,而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn),將芯片并排
- 關(guān)鍵字: CMOS 2.0 納米 分層邏輯
比LDO更安靜!新一代開關(guān)穩(wěn)壓器解鎖高速ADC全性能
- 摘要在5G基站、防務(wù)領(lǐng)域、精密儀器等對噪聲極度敏感的射頻系統(tǒng)中,電源噪聲直接影響信號完整性。傳統(tǒng)降壓+LDO的二級供電方案雖能降噪,卻面臨體積大、效率低、成本高的痛點。新型超低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器Silent Switcher? 3系列打破這一局限,憑借0.1Hz-100kHz頻段噪聲低于LDO的突破性性能,結(jié)合單級架構(gòu)優(yōu)勢,為射頻工程師提供了更緊湊、高效、經(jīng)濟的電源解決方案。本文通過鎖相環(huán)時鐘與高速ADC兩大案例,深入解析其如何平衡降噪需求與系統(tǒng)設(shè)計挑戰(zhàn)。引言射頻(RF)系統(tǒng)對電源解決方案的噪聲性能提出了更嚴(yán)
- 關(guān)鍵字: ADI LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器
全局快門CMOS傳感器選型指南:從分辨率到HDR的終極考量
- 在高速視覺應(yīng)用的競技場中,全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時,僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢,并權(quán)衡光學(xué)格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)(SNR)、像素架構(gòu),乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性,是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能,一個重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體,而另一些應(yīng)用
- 關(guān)鍵字: 安森美 CMOS 傳感器 HDR
這一領(lǐng)域芯片,重度依賴臺積電
- 英特爾和三星正在研發(fā)先進的制程節(jié)點和先進的封裝技術(shù),但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺積電。大型語言模型(例如 ChatGPT 等 LLM)正在推動數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴展。更強大的 LLM 模型推動了需求,并需要更多的計算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機、CPU、存儲和 DRAM。目前,大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年,這一比例將會更高。臺積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場份額。臺積電生產(chǎn):Nv
- 關(guān)鍵字: CMOS
2D CMOS,下一個飛躍
- 二維材料憑借其原子級厚度和高載流子遷移率,提供了一種極具前景的替代方案。
- 關(guān)鍵字: CMOS
激光雷達(dá)掃壞CMOS,難道汽車都要變成“光棱坦克”了?
- 激光雷達(dá),對于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻,它是自動駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力,激光雷達(dá)能夠?qū)崟r生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖,精準(zhǔn)檢測并追蹤其他車輛、行人、障礙物等,為自動駕駛決策系統(tǒng)提供精準(zhǔn)且可靠的數(shù)據(jù)支持,是保障自動駕駛汽車安全行駛、實現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石,正推動著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時,各位讀者有沒有想過,這些越來越多激光雷達(dá),會逐漸開始危害我們的財產(chǎn)安全,而首當(dāng)其沖的就是手機
- 關(guān)鍵字: 激光雷達(dá) CMOS 攝影 ADAS
使用LDO和PLD實現(xiàn)電源啟用和禁用功能
- 許多系統(tǒng)需要通過控制線或在施加輸入電源時啟用和禁用。雖然小型微控制器 (MCU) 可以實現(xiàn)啟用/禁用功能,但您仍然需要為其編寫、維護和燒錄代碼。許多使用片上系統(tǒng) (SoC) 的設(shè)計在該芯片內(nèi)都有一個 MCU;添加另一個是多余的。此外,SoC 中的 MCU 不夠低功耗,無法保持始終開啟并提供啟用控制器功能。本文討論了一種低成本、低功耗的使能控制器硬件解決方案,該解決方案使用低壓差線性穩(wěn)壓器 (LDO) 和可編程邏輯器件 (PLD),僅消耗微安級電流。PLD 預(yù)編程了實現(xiàn)使能控制器決策功能所需的邏輯
- 關(guān)鍵字: LDO PLD 電源啟用 禁用 TI
CMOS可靠性測試:脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC?
- 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著技術(shù)的不斷演進,對CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計算(HPC)等前沿技術(shù)的推動下,傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應(yīng)用,以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言,交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測試的有力補充。在NBTI(負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性)和TDDB(隨時間變化的介電擊穿)試驗中,應(yīng)力/測量循環(huán)通常采用直流信號,因其易于映射到器件模型中。然而,結(jié)
- 關(guān)鍵字: CMOS 可靠性測試 脈沖技術(shù) AI 5G HPC 泰克科技
CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了?
- 攝像頭CMOS傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)是成像設(shè)備的核心部件,廣泛應(yīng)用于智能手機、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測等領(lǐng)域。以下是國內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點和代表性型號:從智能手機到自動駕駛,從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測,CIS的身影無處不在。隨著技術(shù)不斷演進,CIS市場格局也在悄然變化。今天,我們就來一次全景掃描,盤點國內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商,以及那些正在崛起的新興勢力。當(dāng)年最缺芯片的時候,我別的不擔(dān)心,最擔(dān)心買不到索尼的Sensor,結(jié)果一開始我們用中國臺灣的可以替代
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器 ISP
圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多?成像性能必須排第一
- 當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時,圖像傳感器的選擇是設(shè)計和開發(fā)各種設(shè)備過程中一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié),這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設(shè)備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標(biāo)準(zhǔn)進行復(fù)雜的評估,每個標(biāo)準(zhǔn)都會影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動態(tài)范圍到色彩濾波陣列(CFA)、像素類型、功耗和特性集成,這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣,錯綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中,圖像傳感器可以說是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號,通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)產(chǎn)生數(shù)字輸出
- 關(guān)鍵字: 圖像傳感器 CMOS 成像性能
cmos-ldo介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos-ldo!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
