- 總部位于美國洛杉磯市、開發替代MOSFET技術的氮化鎵(eGaN)技術的宜普電源轉換公司(EPC) 與總部位于香港的創徽科技有限公司(ASD)宣布攜手合作，共創新里程，針對客戶的目標應用,利用最新的eGaN技術為客戶提供最佳的解決方案。
EPC公司是研發氮化鎵技術和制造氮化鎵器件的領導廠商。具備優越性能的氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)及集成電路在各種終端應用中可以替代日益老化的MOSFET技術，包括DC/DC轉換器、無線電源傳輸、包絡跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、遙距感測技術及D類
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EPC ASD
- 樣品中痕量硫化物的測定一直是困擾分析工作者的一項工作，而樣品中痕量硫化物的控制在很多應用中非常重要，如石...
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氣相色譜儀 電化學硫檢測器 ASD
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