- HMC792LP4E是Hittite公司的一個寬帶6位GaAs IC數字衰減器，采用低成本的無鉛SMT封裝。該通用數字衰減器集成了片外交流接地電容器，實現了接近DC的運行，使其適用于各種RF和IF應用。
雙模式控制接口兼容CMOS/TTL，
- 關鍵字：
HMC 792 GHz LP4
- 高性能 Sub-GHz無線芯片及應用方案,當今世界，無線產品早已無處不在。在我們周圍分布著大量的無線產品和應用系統，如氣象站、汽車無鑰匙進入系統（RKE）、噴灌系統、照明系統、智能家居、自動抄表等等。
在無線應用領域，1GHz以下（Sub-GHz）頻段
- 關鍵字：
應用 方案 芯片 無線 Sub-GHz 高性能
- 摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設計電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實現。仿真結果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數為1．78dB；增益1dB壓縮點為-21．72dBm；輸入參考三階交
- 關鍵字：
CMOS 5.6 GHz 低噪聲
- 0引言 近年來，隨著無線通信業務的迅速發展，通信頻段已經越來越擁擠。1985年美國聯邦通信委員會(FCC)授權普通用戶可以使用902MHz，2．4GHz和5．8GHz三個“工業、科技、醫學”(ISM)頻段。ISM頻段為無線通信設備提
- 關鍵字：
2.4 GHz ADS 收發系統
- 0 引 言
近年來，隨著無線通信業務的迅速發展，通信頻段已經越來越擁擠。1985年美國聯邦通信委員會(FCC)授權普通用戶可以使用902 MHz，2．4 GHz和5．8 GHz三個“工業、科技、醫學”(ISM)頻段。ISM頻段為無線通
- 關鍵字：
ADS 設計 仿真 前端 射頻 收發 系統 GHz 射頻
- 1、引言 近年來，隨著微波毫米波技術的飛速發展，對寬帶微波毫米波測試儀器的提出了更高的要求，頻譜分析儀、噪聲系數分析儀等接收機類儀器的工作頻率已經拓展到40GHz，本文介紹了一種可以作為前端預選器用于
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GHz 40 帶通 濾波
- 設計射頻電路的LNA，在開始設計的時候就要考慮很多因素，例如為了提高增益，便要增加功率消耗，為了與下一級耦合，可能會影響整個LNA性能。通過綜合的平衡，才能設計出滿足不同性能需求的低噪聲放大電路。本文設計的電路，在提供20 dB高增益的同時，只有1.5 dB的噪聲系數，達到了設計要求。
- 關鍵字：
2.38 ADS GHz 集成化
- 0 引言
隨著寬帶無線通信技術的不斷發展和市場的不斷擴大，802．11a標準的5 GHz無線射頻頻段以其數據傳輸速率快、信號質量好、干擾小等優點得到了越來越廣泛的推廣；隨著CMOS工藝的進步．使其生產出的高集成度、
- 關鍵字：
802 11a GHz 標準
- 設計了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關的技術以補償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對片上電感和射頻開關進行優化設計以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測試結果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環和頻率合成器。
- 關鍵字：
CMOS GHz VCO LC
- 介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關的相關技術，基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開展了寬帶SPST開關設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時，對電路的通孔特性進行了分析，對電路設計流程進行了闡述。要獲得期望帶寬的開關，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關電路成功開發。
- 關鍵字：
GaAs MMIC SPST GHz
- 消費者對通信和計算機產品的要求越來越高，不斷提升的速度、不斷增長的容量，但卻不能成正比變化的價格，成為用戶決定是否掏錢購買新款產品的基本要求。這些來自終端客戶的需求通過產業鏈逐級傳遞到產品研發工程師對測試儀器的需求層面。能設計出超高數據傳輸速率的通信產品，就一定需要性能匹配的信號測試工具，否則無法保證最終產品的性能、質量和一致性。
- 關鍵字：
GHz 30 示波器 高速串行信號測試
- 本文系統分析了射頻CMOS功率放大器的設計方法，并基于TSMC 0.35μm RF工藝設計了一種工作頻率在2.4GHz，電源電壓為3.3V的三級CMOS功率放大器。
- 關鍵字：
CMOS 2.4 GHz 功率放大器
- 在半導體產業迅猛發展的今天，讓我們一起來閱讀這段60年前的歷史…... LSI 熱烈慶祝晶體管誕生 60 周年
60年前的1947年12月，3 名貝爾試驗室的科學家共同發明了晶體管，從而開辟了現代電子時代，包括當今的LSI在內的全球性產業也由此誕生。 &nbs
- 關鍵字：
晶體管 誕生 60 周年 元件 制造
- 賽普拉斯半導體公司近日宣布，該公司已經發運了第2000萬個2.4-GHz WirelessUSB™和PRoC™無線解決方案單元，這款產品已經廣泛應用于無線設備，例如PC機外設、遙控器、玩具、醫學儀表和工業電器。這項技術以賽普拉斯獨有的頻率捷變通訊協議配合直接序列擴頻（DSSS）技術專利，實現了同類產品中最優秀的抗干擾性和低功耗，在擁擠的2.4-GHz頻段為用戶提供了卓越體驗。 去年，賽普拉斯獲獎的第二代WirelessUSB LP和PRoC LP產品已
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通訊 無線 網絡 賽普拉斯 2.4-GHz 無線技術
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