- 據臺灣內存業者透露，由于越來越多的內存芯片廠商都在積極轉向下一代制程技術，因此這種彼此間的良性制程競賽將令內存芯片的生產成本在明年之內將出現較大幅度的下降。
目前，韓國三星電子的內存芯片產品已經有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經開始小批導入40nm制程。預計到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據業內領先的地位。
日本爾必達公司則很快會開始啟用其改進版65nm制程，爾必達將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉移到
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三星電子 40nm 56nm 內存芯片
- 今年第一季度NAND閃存出現了產能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價格也隨之大幅度下跌，這對新達公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲卡平均容量達到了1231MB，年增長率為87%，季度增長率 為11%。而每MB平均價格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。 對于出現這種局面的原因，公司主席兼首席執行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型
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56nm SanDisk 閃存 消費電子 消費電子
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