- 1932年，研究人員在George Herbert Jones實驗室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進行反應，成功合成了GaN材料。近一個世紀的時間里，氮化鎵逐漸引領著功率變換領域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業界首款1700V氮化鎵開關IC——InnoMux?-2系列產品，不僅刷新了氮化鎵技術的耐壓紀錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應用前景，成為了電源管理領域的遙遙領先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開關電源技術覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
- 關鍵字：
PI 氮化鎵 1700v 電源IC
- 標簽：IGBT 電源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低
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保護 電路設計 驅動 IGBT 300A 1700V
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