硅基氮化鎵 文章 最新資訊
1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET
- 山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）中實(shí)現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發(fā)表]。通常，臺面蝕刻端接 （MET） 用于電隔離 GaN 半導(dǎo)體器件。然而，這會導(dǎo)致相對尖銳的拐角，電場往往會擁擠，導(dǎo)致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅 （SiC）
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硅基氮化鎵晶圓搭配半導(dǎo)體技術(shù)，ALLOS將掀起Micro LED產(chǎn)業(yè)革命｜LEDinside訪談
- 能達(dá)到高分辨率、高對比度、高亮度顯示效果的Micro LED顯示器，早在2012年就已經(jīng)出現(xiàn)初代樣品，但受限于超高難度的制造過程，至今仍被業(yè)界視為「夢幻級產(chǎn)品」。近年來，在大廠領(lǐng)軍推動(dòng)下，雖然已經(jīng)有愈來愈多的樣品持續(xù)現(xiàn)蹤，不過要真正進(jìn)入到市場消費(fèi)端，根據(jù)業(yè)內(nèi)人士推估，還要至少3年以上的時(shí)間。為突破Micro LED顯示技術(shù)發(fā)展，勢必得解決巨量轉(zhuǎn)移制程這個(gè)大難關(guān)。目前已經(jīng)有許多技術(shù)單位開發(fā)出不同取向的轉(zhuǎn)移方式，包括轉(zhuǎn)印、流體組裝、噴墨打印等等，但這些方法在后續(xù)的Micro LED芯片處理過程中，
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意法半導(dǎo)體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成
- 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達(dá)克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導(dǎo)體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設(shè)之應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ缙谑来纳漕l功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型
- 5月13日，意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導(dǎo)體加工，RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。目前，意法半導(dǎo)體和
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1
- 合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導(dǎo)體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運(yùn)營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破
- 產(chǎn)品達(dá)到成本和性能雙重目標(biāo)，現(xiàn)進(jìn)入認(rèn)證測試階段實(shí)現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 英諾賽科(珠海)科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線投產(chǎn)儀式。據(jù)悉，這是中國首條實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。由于高溫環(huán)境下生長的氮化鎵薄膜冷卻時(shí)受熱錯(cuò)配應(yīng)力的驅(qū)動(dòng)下，容易發(fā)生破裂或翹曲，成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙，英諾賽科采取獨(dú)有技術(shù)解決了這一挑戰(zhàn)，將硅基氮化鎵晶圓尺寸推進(jìn)到8英寸。 英諾賽科董事長駱薇薇表示：“經(jīng)過2年的努力我們終于建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產(chǎn)線，并成功量產(chǎn)，添補(bǔ)了我國在這一領(lǐng)域的空白。這既是一個(gè)里程碑也是一個(gè)新的起點(diǎn)。公司將繼續(xù)在技術(shù)前沿
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MACOM：用LDMOS的成本架構(gòu)提供硅基氮化鎵的性能
- 近日，MACOM通過收購AMCC(Applied?Micro?Circuits?Corporation)，進(jìn)一步拓展了其在混合電路(ADC/DAC)及數(shù)字電路(DSP)方面的能力，使得MACOM成為一家可以從數(shù)字芯片技術(shù)到光的封裝整套解決方案的供應(yīng)商。此次收購除了拓展了MACOM的產(chǎn)品和技術(shù)外，也進(jìn)一步拓展了其服務(wù)的市場和客戶群，并使MACOM進(jìn)入云和數(shù)據(jù)中心前端的應(yīng)用數(shù)據(jù)支持。 MACOM是一家高性能模擬射頻、微博、毫米波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域的供應(yīng)商做射頻和微波領(lǐng)域。
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HIS：硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額
- 據(jù)外媒EETasia報(bào)道，統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)HIS預(yù)測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達(dá)到40%，目前該種LED市場占有率僅為1% 硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額 據(jù)HIS的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2020年間復(fù)合年滲透增長率將會達(dá)到69%，屆時(shí)40%的氮化鎵LED將會以此工藝制造。今年95%的氮化鎵LED由藍(lán)寶石晶片制造，僅1%采用硅晶。硅基氮化鎵在2013-2020年間的增長將會攫取藍(lán)寶石及碳化硅晶片的市場份額。
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硅基氮化鎵介紹
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