晶背供電 文章 最新資訊
臺積電晶背供電A16來襲 英偉達(dá)不畏價高有望率先采用
- 臺積電迎來AI成長黃金期！ 隨著2納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，成長動能將由HPC貢獻(xiàn)。 業(yè)者認(rèn)為，2026年除手機大廠將使用臺積電2納米外，AMD以2納米打造的HPC（高效能運算）芯片也將于明年登場; 面對競爭，供應(yīng)鏈消息直指英偉達(dá)已考慮導(dǎo)入最先進(jìn)制程，也就是臺積電明年下半年量產(chǎn)的A16（擁有晶背供電版本的2納米制程），這將是由AI應(yīng)用第一次主導(dǎo)臺積電最先進(jìn)制程的重要轉(zhuǎn)折。業(yè)界透露，這是英偉達(dá)繼之前0.11微米以來，再次使用臺積電最先進(jìn)制程技術(shù)制作芯片。 法人看好，未來AI相關(guān)營收貢獻(xiàn)增速，明年其資本支出將再締新猷
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晶背供電技術(shù)的DTCO設(shè)計方案
- 一些芯片大廠近期宣布在其邏輯芯片的開發(fā)藍(lán)圖中導(dǎo)入晶背供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）。比利時微電子研究中心（imec）于本文攜手硅智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）方案，其中采用了奈米硅穿孔及埋入式電源軌來進(jìn)行晶背布線。他們展示如何在高效能運算應(yīng)用充分發(fā)揮該晶背供電網(wǎng)絡(luò)的潛力，并介紹在標(biāo)準(zhǔn)單元進(jìn)行晶背連接的其它設(shè)計選擇，探察晶背直接供電方案所能發(fā)揮的最大微縮潛能。長久以來，訊號處理與供電網(wǎng)絡(luò)都在硅晶圓正面進(jìn)行，晶背供電技術(shù)打破了這種傳統(tǒng)，把整個配電網(wǎng)絡(luò)都移到晶圓背面。硅穿
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級
- 比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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