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1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

• 山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發表]。通常，臺面蝕刻端接 （MET） 用于電隔離 GaN 半導體器件。然而，這會導致相對尖銳的拐角，電場往往會擁擠，導致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅 （SiC）
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