自鎧俠官網獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCS FLASH? generation 8）實現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
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據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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據媒體報道，近日，研究人員發現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發現的帶電粒子是創建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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全球NAND閃存價格已連續四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
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根據TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND
Flash產業2025年持續面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產，Kioxia/
SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/
Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關計劃，可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的，背后受以下因素驅動：第一，需求疲軟
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1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
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12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據介紹，新設的 AI 芯片開發部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發能力，著眼于下一代 AI 內存等
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根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季NAND Flash產業出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產業整體營收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應用領域的NAND
Flash價格走勢在今年第三季出現分化，企業級SSD需求強勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
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據韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
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三星 光刻膠 3D NAND
據韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產線的舊設備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導體部門（DS）實施大規模成本削減和產線調整，并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。預計出售程序將于明年正式開始，銷售的設備大部分是100級3D NAND設備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。
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三星 西安 NAND
10 月 29 日消息，《韓國經濟日報》當地時間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產品將調
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三星 存儲 V-NAND
IT之家?10 月 15 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現季減 3% 至
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三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業提
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三星電子 V-NAND 車載SSD
9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
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三星電子 NAND PCIe 4.0 車載SSD
根據TrendForce集邦咨詢最新調查，由于Server（服務器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產品需求，2024年第二季NAND
Flash（閃存）價格持續上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND
Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供應商已恢復盈利狀態，并計劃在第三季擴大產能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現不佳，
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