Intel高級副總裁:Intel不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律

　　2009秋季英特爾信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。下面是Bob Baker第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點。

　　Bob Baker：“引領(lǐng)硅技術(shù)創(chuàng)新”(Silicon Leadership – Delivering Innovation)

　　英特爾高級副總裁兼技術(shù)與制造事業(yè)部總經(jīng)理

　　Bob Baker今天發(fā)表主題演講介紹了英特爾通過新材料、硅技術(shù)與制造能力的研究與創(chuàng)新，將摩爾定律不斷推向前進的不懈努力。

　　· 全球第一個可工作的22納米測試電路：英特爾不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律，讓最終用戶受益。英特爾公司發(fā)布了半導(dǎo)體制程技術(shù)中的又一個新突破，在單個芯片上整合更多的特性和更高的性能。這就是關(guān)于全球第一個可工作的22納米測試電路的演示。兩年前英特爾展示了基于前一代32納米技術(shù)可工作的測試電路，而本次峰會則標志著第三代高k金屬柵極晶體管的誕生。最新發(fā)布的22納米技術(shù)證明了摩爾定律將繼續(xù)有效，并引領(lǐng)我們前進。

　　- 使用 SRAM 作為測試平臺，在處理器和其他邏輯芯片使用該制程技術(shù)之前證明其技術(shù)性能、工藝良率和芯片可靠性。

　　- 英特爾22納米技術(shù)現(xiàn)在處于全速發(fā)展階段，按既定步調(diào)將“Tick-tock模式”推進到下一代。

　　- 該22納米測試電路包括用于22納米微處理器的SRAM存儲器和邏輯電路。

　　- 在364兆位陣列中，有單位面積為0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM單元在工作。0.108平方微米的單元為低電壓操作而優(yōu)化;而0.092平方微米的單元為高密度而優(yōu)化，而且是迄今所知電路中能工作的最小的SRAM單元。該測試芯片在指甲蓋大小的面積上整合了29億個晶體管，密度大約是之前32納米芯片的兩倍。

　　- 22納米技術(shù)延續(xù)了摩爾定律：晶體管更小，每個晶體管能效(性能/每瓦)更高、成本更低。

　　· 高k金屬柵極技術(shù)風靡世界，出貨量超過2億顆：英特爾從2007年第4季度開始出貨采用高k金屬柵極晶體管的CPU，目前仍是唯一一家具備此能力的公司。目前，采用高k金屬柵極晶體管的45納米CPU出貨量已將超過2億顆。英特爾的32納米CPU制程技術(shù)已經(jīng)通過認證，而Westmere CPU晶圓已經(jīng)進入工廠生產(chǎn)線，計劃于第四季度向市場推出。英特爾的32納米技術(shù)采用第二代高k金屬柵極晶體管，提高了性能并減少了漏電。

　　· 研發(fā)新動向 – 麻省理工學(xué)院的特邀嘉賓：Jesus Del Alamo教授來自麻省理工學(xué)院電氣工程系，他在本次峰會上探討了化合物半導(dǎo)體的前景，特別是用于未來邏輯制程的所謂III-V材料。他指出，基于III-V材料的晶體管速度，遠超過目前的硅晶體管，而工作電壓只有目前的一半(具有大幅降低能耗的潛力)。雖然因面臨重大挑戰(zhàn)而稍顯謹慎，但他注意到，全球越來越多的人在解決這些問題，并且已經(jīng)取得了很快的進展。

　　· 面向片上系統(tǒng)(SoC)的32納米技術(shù)：英特爾首次開發(fā)了全功能的SoC制程技術(shù)，以作為CPU專用技術(shù)的補充。該版本為手機、移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)和嵌入式產(chǎn)品等應(yīng)用提供了一系列豐富的功能;它還提供這些市場所需的更廣泛的性能與能耗選擇。

　　· 優(yōu)化NAND平臺：英特爾SSD固態(tài)硬盤在現(xiàn)有的平臺和軟件上具有強大的性能。英特爾高級院士兼英特爾存儲技術(shù)部門總監(jiān)Rick Coulson跟大家探討了英特爾在未來固態(tài)硬盤改進以及SSD和平臺的共同優(yōu)化上的研究方向，力圖在更低成本、更低功耗的基礎(chǔ)上達到更好的性能。

　　· 制造能力：英特爾已經(jīng)大幅改進了供應(yīng)鏈，能夠積極、快速地響應(yīng)客戶變更訂單的請求——響應(yīng)速度提高了300%。制造周期減少了62%。僅僅在過去的12個月內(nèi)，從客戶下訂單到交貨的時間縮短了25%。