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    華虹NEC 非外延0.35um BCD工藝進(jìn)入量產(chǎn)

    作者: 時(shí)間:2009-08-24 來源:SEMI 收藏

      世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“”)19日宣布,公司非外延0.35um BCD工藝開始進(jìn)入量產(chǎn)。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/97425.htm

      在2008年成功研發(fā)并量產(chǎn)了 (0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工藝。針對(duì)市場(chǎng)的不同需求,華虹NEC現(xiàn)又推出了非外延工藝的 0.35um BCD工藝,即PMU350工藝。PMU350在的基礎(chǔ)上用deep Nwell替代了外延層,并簡(jiǎn)化了工藝流程,使該工藝更具競(jìng)爭(zhēng)力。目前,PMU350工藝已經(jīng)順利通過了產(chǎn)品驗(yàn)證,進(jìn)入量產(chǎn)。

      華虹NEC PMU350工藝主要面向等領(lǐng)域,該工藝的標(biāo)準(zhǔn)配置包括3.3V/5V的CMOS,12V/18V/30V/40V的LDMOS以及垂直的NPN和水平的PNP雙極管。此工藝同時(shí)還提供高精度的電阻、高密度的電容及一次性可編程器等多種器件以方便客戶選用,是LED驅(qū)動(dòng)芯片、AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)和充電保護(hù)芯片的最佳工藝選擇之一。

      華虹NEC總裁兼CEO邱慈云博士表示,PMU350工藝的成功量產(chǎn),將為客戶提供更多的工藝選擇。為了持續(xù)不斷地在該平臺(tái)上推出下一代工藝來滿足客戶需求,華虹NEC已經(jīng)在開發(fā)0.18微米 BCD技術(shù)平臺(tái),以期為客戶的和SOC芯片提供更高端的技術(shù),填補(bǔ)大陸代工市場(chǎng)的空白,成為BCD領(lǐng)域的領(lǐng)航者!



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