新型電聲產品接口技術(08-100)

　　如果電容式麥克風所產生的信號驅動能力不夠，那么在對信號做進一步處理之前需要一只緩沖器或放大器。按照傳統方法，一直使用一只簡單的結型場效應管(JFET)輸入放大器實現這種傳聲器的前置放大。隨著ECM微機械工藝的改進，麥克風體積越來越小，電容也不斷減小。由于標準的JFET放大器具有相當大的輸入電容，對來自傳聲單元的信號造成顯著的衰耗，因此JFET放大器不再適合傳聲器的要求。

　　如今因CMOS制造工藝的改進推動了放大器電路的改進。采用CMOS模擬和數字電路取代JFET放大器有很多好處。與傳統的JFET放大器相比，采用現代亞微米CMOS工藝實現的前置放大器有多種優點：降低諧波失真，更容易增益設置，多功能模式，包括低功耗休眠模式，模數轉換功能，能使麥克風直接輸出數字信號，極大地提高了聲音的質量，

　　提高了抗干擾能力。

　　MEMS SMD-硅晶(SiSonic)貼片式麥克風

　　SiSonic SMD硅晶貼片式麥克風應用了MEMS技術。一直以來，ECM的難題在于駐極體的能效在高溫中會降低，從而導致靈敏度的劣化。而硅晶麥克風中內置的CMOS電荷泵和MEMS則可完美的解決此難題，并使得產品能多次通過260℃無鉛自動回焊爐。該種麥克風，使用懸浮振膜構造，即便焊接在基板上也能確保達到優于ECM的耐振動特性、12,000G跌落撞擊，甚至能通過相當于半導體級別的信耐度測試。

　　全部硅晶麥克風，高度為1.25mm，音孔位置在上面或是基板面(零高度)，還有強化對抗RF干擾的型號。這方面的新產品有，零高度Mini型及數字麥克風。

　　標準SiSonic-SMD硅晶麥克風(如樓氏公司產的SP0204、SPM0204型)原理示意圖示于圖2。

　　圖2 硅晶麥克風原理示意圖

　　圖3為內置放大器的SiSonic-SMD硅晶麥克風

　　圖3 內置放大器SiSonic-SMD硅晶麥克風原理示意圖