首爾半導體公布其對 InGaN 系 LED 專利的立場

　　首爾半導體日前宣布，美國得克薩斯法院經審議決定，活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結構特性方面屬于首爾半導體的專利。InGaN 是組成白、藍、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質。作為上述美國得克薩斯法院審判對象的美國專利 5,075,742（以下簡稱“742專利”）包含了在日本、德國、英國、法國的專利家族。有關詳細的審判內容可以在首爾半導體的網站證實。(http://seoulsemiconductor.cn/cn/prCenter/news/view.asp?seq=57)

　　首爾半導體業務合作伙伴可使用這一專利。有關企業可以與首爾半導體簽訂戰略協議來得到專利許可。首爾半導體已跟美國和日本的三家企業簽訂了專利許可協議。對于侵犯專利的企業，首爾半導體有權使其停止銷售、使用并對給首爾半導體造成的損失予以賠償。

　　首爾半導體一向尊重其他企業的知識產權，并將繼續與這些尊重知識產權的企業進行公平的競爭。而對于那些侵犯知識產權的企業，首爾半導體將對其采取必要手段以維護自己的專利權益。