IR推出溝道型HEXFET功率MOSFET系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出具有基準低通態電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉換器及電動工具等工業應用。

　　新MOSFET的通態電阻 (RDS (on)) 能效比同類產品高出達50%，無需工業應用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節省總系統成本。此外，低RDS (on) 可降低導通損耗，并提升系統效率。

　　IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“這個系列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設計人員避免使用大電流工業應用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝，使系統成本降低50%。”

　　全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓，也符合工業級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產品有害物質限制 (RoHS) 指令。