NS推出三款全新放大器大幅減少EMI引發的模擬系統信號錯誤

　　美國國家半導體公司 (National SEMIconductor Corporation)宣布推出三款LMV83x系列全新運算放大器。該系列新品內置抗電磁干擾濾波器，可以抑制射頻電波的干擾，有助于提高模擬系統的準確性。LMV83x系列運算放大器的電磁干擾抑制比(EMIRR)高達120dB，為業界之最，而且可減少電磁干擾（EMI）引致的信號錯誤。LMV83x運算放大器來自美國國家半導體PowerWisea 高能效產品系列，單位增益帶寬高達3MHz，而供電電流只需240uA，換言之，該系列新品的功率/性能比高達80uA/MHz。

　　LMV831單組裝、LMV832雙組裝及LMV834四組裝運算放大器都具有極高的抗電磁干擾能力，因此設計者無需加裝金屬罩屏蔽、濾波器及其他元件，而且還節省了開發時間，縮小了電路板面積。最重要的一點是這幾款芯片都適用于噪聲干擾密集的環境。對于電磁干擾特別敏感的電話配件、醫療設備、高精度重量計及個 
　　別行業專用的電子設備尤其適用。以重量計為例，射頻信號的干擾會產生高達1V的輸出電壓偏移，以致模擬/數字轉換器的10位分辨率(1024個代碼)降至相當于3位分辨率。若采用LMV83x系列運算放大器，分辨率只會降低0.2位。許多不同的電子設備，例如濾波器/緩沖器、光電二極管前置放大器及壓電傳感器，都可采用LMV83x系列放大器芯片，以提高其抗電磁干擾的能力。

　　美國國家半導體不久前曾分別推出單位增益帶寬高達8MHz的LMV851/52/54系列放大器及單位增益帶寬高達30MHz的LMV861/62系列放大器。而此次推出的LMV83x系列放大器是該公司同類芯片的最新產品，均采用了美國國家半導體CMOS7專利工藝技術，不僅能效最優，而且性能最佳。

　　為了方便工程師準確評估運算放大器的抗電磁干擾能力，美國國家半導體專門為他們提供了一個以電磁干擾抑制比(EMIRR)為衡量基準的參考指標。工程師只需比較不同的數字，便可準確評定運算放大器不同引腳的抗電磁干擾能力。美國國家半導體還提供評估電路板，幫助工程師加快整個設計過程。此外，工程師還可搭配使用美國國家半導體多款具有1LSB、串行外圍設備接口(SPI)的模擬/數字轉換器，以及I2C接口的10位、12位模擬/數字轉換器：ADC121SXX1、 ADC101Sxx1、ADC122SXX1、ADC102Sxx1、ADC124SXX1、ADC104Sxx1、SPI接口的ADC108Sxx2及ADC128SXX2、以及I2C接口的ADC121C021和ADC101C021等。

　　抗電磁干擾能力極高的 LMV831/32/34 運算放大器 -- 技術規格及特色

　　LMV831單組裝、LMV832雙組裝及LMV834四組裝運算放大器都可支持CMOS輸入，輸入偏移電壓不超過1mV，并設有軌到軌輸出級，包括接地電壓在內的輸入共模電壓范圍。LMV83x系列芯片的共模抑制比(CMRR)及電源抑制比(PSRR)都同樣高達 93dB，即使驅動200pF這樣大的電容負載，仍可發揮極高的穩定性，而且還適用于攝氏-40度至125度的寬溫度范圍。LMV831芯片采用5引腳SC70封裝，LMV832 芯片采用8引腳MSOP封裝，而LMV834芯片則采用14引腳TSSOP封裝。

　　美國國家半導體的放大器系列

　　美國國家半導體一直專注于研發高性能的放大器及比較器，目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器，其中包含基本芯片以及專用標準產品(ASSP)，以滿足市場上對高速、高精度、低電壓及低功率放大器的需求。多年來，在放大器產品開發與創新方面的不懈努力以及先進的VIP10 雙極和 VIP50 BiCMOS 工藝技術都確保了美國國家半導體在該領域的領先地位。此外，作為業界封裝技術的領導者，美國國家半導體率先推出了革新的 Silicon Dust? 及 micro SMD 封裝技術。