英飛凌和南亞科技聯合宣布90納米制程技術研發成功并開始批量生產

英飛凌科技公司和南亞科技公司近日聯合宣布，由英飛凌和南亞科技在英飛凌德國德累斯頓研發中心聯合開發的90納米DRAM技術成功通過認證。兩家公司聯合開發的90納米內存產品獲得了主要客戶的認可，并通過了英特爾的驗證。在英飛凌公司德累斯頓300mm晶圓生產線上，90納米DRAM產品已經開始批量生產。作為全球第二個引進90納米技術的DRAM制造商，英飛凌在5月底之前已經成功將其DRAM全球產量的5%從110納米工藝轉換成90納米工藝。英飛凌和南亞科技的合資公司臺灣華亞半導體公司現在已經開始向90納米技術轉型。提前采用新一代技術將大幅降低生產成本，提高產品性能，同時也是提高DRAM生產盈利能力的最重要因素之一。

與先前的110納米工藝相比，90納米工藝進一步縮小了芯片尺寸，從而使每片晶圓的芯片產量可以增加30%以上。縮小芯片尺寸和使用300mm晶圓實現的生產率提高是芯片生產成本大幅下降的基礎。英飛凌和南亞科技的聯合開發還包括下一代70納米制程技術。

“采用90納米工藝生產的DRAM產品成功通過認證，是我們在取得產品和技術領袖地位和提高DRAM生產率的道路上的一個重要里程碑，”英飛凌公司管理委員會成員兼英飛凌內存產品事業部總裁Andreas von Zitzewitz博士表示，“與南亞科技聯合進行的成功開發證明了英飛凌合作方式的效率，并為我們在瞬息萬變的DRAM行業贏得了競爭優勢。我們的研發團隊已經以同樣的熱情投入到更小型內存產品的開發中去了。”

“聯合開發的90納米產品展示了南亞科技與英飛凌聯合開發項目的效果和效率，” 南亞科技公司總裁Jih Lien博士說道，“研發成果鼓舞人心。但南亞科技批量生產最先進的90納米產品的領先能力是一個更為重要的成就。”

90納米工藝結構的推出在很大程度上得益于110納米時代先進的193納米光刻技術。193納米光刻技術是縮小工藝結構不可或缺的因素。通過引進所謂的“棋盤單元陣列（checkerboard cell array）”， 只要利用標準的表面增強方法，而不需要運用復雜的高K電介質，就可以實現卓越的存儲容量。 

除了成本優勢之外，采用更小的工藝結構是生產用于移動世界的高速、低功耗DDR2和DDR3 SDRAM的關鍵。隨著第一件產品512Mb DDR SDRAM通過客戶認證，英飛凌和南亞科技成為業界第二家采用90納米技術生產DRAM的制造商。512Mb DDR2 SDRAM相關系列產品預計在2005年下半年推出。包括256 Mb DDR2 和1G DDR2在內的其他產品將在稍后推出。