三星自夸芯片制造工藝速度超越摩爾定律

    今年是摩爾定律問世40周年，就在英特爾請出久未露面的Gordon Moore、忙于舉辦慶祝活動時，三星電子半導(dǎo)體部門總裁黃昌圭忙借機自夸，稱三星在芯片制造工藝的改進速度上已經(jīng)超越摩爾定律。 

    摩爾定律最初于1965年發(fā)布時，曾預(yù)言芯片中晶體管數(shù)量每年就會增加1倍，1975年時修正為芯片內(nèi)晶體管數(shù)量每2年倍增。 

    對此，黃昌圭表示，三星在NAND型閃存（Flash）制造工藝的推進速度是每年倍增其容量。事實上，從三星陸續(xù)推出1Gb、2Gb、4Gb NAND型閃存的速度上來看，它的芯片制造工藝改進速度已經(jīng)超越了摩爾定律預(yù)言的速度。 

    4Gb NAND型閃存是三星剛剛發(fā)布的新品，明年它打算將NAND型閃存的容量推上8Gb。 

    黃昌圭對三星電子芯片制造工藝的改進充滿信息，他認(rèn)為在不考慮供給、需求的前提下，三星的工藝可讓NAND型閃存平均價格每年下滑40%。 

    據(jù)了解，目前三星已是全球NAND型閃存市場的龍頭，其市場占有率逼近60%，它對市場價格的操縱能力不言可喻。三星領(lǐng)先全球、首次以Fab 14的12英寸晶圓投產(chǎn)NAND型閃存，初期以0.07微米工藝量產(chǎn)，隨后將導(dǎo)入0.06微米工藝，這讓三星的利潤空間足以應(yīng)付產(chǎn)能過剩時可能出現(xiàn)的價格崩盤，就算這種情況出現(xiàn)，三星依然是大贏家。 

    此外，三星曾在2004年11月通過美國媒體放出有意切入晶圓代工領(lǐng)域的消息，隨后還曾在12月份三星半導(dǎo)體部門30周年慶上宣稱未來6年將斥資240億美元，把內(nèi)存業(yè)務(wù)與LSI業(yè)務(wù)結(jié)合起來進行推進，爭取讓每年營收增長達到2位數(shù)。目前，除內(nèi)存業(yè)務(wù)外，三星已經(jīng)很少提及其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的發(fā)展，三星到底會不會進入晶圓代工領(lǐng)域，目前仍是個謎。