電子行業:寬禁帶半導體即將形成板塊效應

　　報告起因

　　國內上市公司紛紛涉足寬禁帶半導體,我們從三大維度看好:實現國家戰略層面的彎道超車:半導體行業實現技術升級以及股票層面將形成板塊效應,我們此前的三安光電報告是市場第一篇詳細描述化合物半導體的深度報告。此行業報告也是市場上領先的深度梳理寬禁帶半導體行業的報告。

　　核心觀點

　　寬禁帶半導體材料性能突出,有望替代Si 基半導體:電和光的轉化性能突出,在微波信號傳輸方面的效率更高,可被廣泛應用到照明、顯示、通訊等各個領域。

　　碳化硅將在功率器件領域快速發展,市場空間上百億美元:1)SiC 器件將在功率器件領域快速發展:具有小型化、能量損耗低,使用效率高,抗輻射、抗干擾、高可靠等性能。全球功率器件市場空間近120億美元,且到2020年CAGR 達65%。2)SiC 功率器件應用廣泛:可廣泛應用于汽車、機車以及工業領域中的PFC(功率因數校正器)、電源單元、UPS(不間斷電源)、DC/DC(直流轉直流)轉換器和逆變器等器件。SiC 材料的功率器件有望替代Si IGBT,主要增長驅動力是EV/HEV 汽車。3)成本的下降將帶動行業的發展,市場空間有數十倍增長:到2020年SiC 器件價格將下降50%,預計SiC 功率元件銷售額將從2013年的0.8億美元大幅增加到2020年的8億美元,且光伏和新能源車逆變器將占主導地位,進一步縮減系統體積與重量。4)外企在SiC 領域占主導地位,但中國環境逐漸培育成熟:Cree 占SiC晶圓制造市場90%以上,Cree 和英飛凌在SiC功率器件市場合計占85%以上份額,中國雖然當前在SiC 領域市占率低,但SiC 的各環節已逐漸培育起來,隨著環境的成熟,有望實現較好發展。

　　GaN 是微波放大和電能轉換領域理想的材料,潛在市場規模大于150億美元:1)可用于軍工雷達、探測器等,消費電子PA,通信的基站建設,汽車功率半導體,以及工業、太陽能發電、風電領域的控制器、逆變器等。2)隨著4G 網絡的發展,對高功率晶體管和基站的需求預計將增加,因此,通訊設備行業對氮化鎵功率半導體的需求將以最快的速率增長。3)考慮GaAs(第二代半導體)、GaN 在內的化合物半導體,由于化合物半導體研發起步晚、生產技術難度大,目前國內較少有企業能夠掌握生產技術,主要由美國、臺灣等公司主導,并限制向中國的技術輸出。4)高門檻和較為溫和的競爭狀況帶來較高的毛利率水平,Cree 化合物半導體產品毛利率在50%以上。

　　投資建議與投資標的

　　我們看好寬禁帶半導體行業的投資機會,其中揚杰科技(300373,未評級)是進軍SiC 市場新星,彈性大;三安光電(600703,買入)是GaAs 和GaN 半導體領頭軍,當前估值安全;南大光電(300346,未評級)是特種氣體平臺,稀缺性強,也建議關注海特高新(002023,未評級)。

　　風險提示

　　寬禁帶半導體行業發展低于預期;上市公司相關業務發展低于預期。