• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 高效的以太網供電解決方案降低了總體成本

    高效的以太網供電解決方案降低了總體成本

    作者:AlisonSteer HeathStewart 時間:2013-12-26 來源:電子產品世界 收藏

      IEEE 802.3at 規范定義的供電 (PoE) 是通過一條 CAT-5 電纜安全地傳輸應用數據和電源的方法。由于它支持靈活地在任何地方安裝設備,沒有在附近提供交流電源的限制,也不需要電工進行安裝,因此,它得到了廣泛應用。最初的 IEEE 802.3af PoE 規范限制了供電至受電設備 (PD) 的功率只有 13W,這也就限制了設備的應用范圍,例如 IP 電話和基本安防攝像機等。在 2009 年,IEEE 802.3at 規范將支持的功率增大到 25.5W。但是,這還是無法滿足功率要求越來越高的 PoE 應用需求,例如,微微蜂窩基站、無線接入點、 標牌和加熱云臺變焦 (PTZ) 室外攝像機等。在 2011 年,公司發布了新的專有標準 ™,將 PoE 和 PoE+ 規范擴展到 90W 供電,同時還維持與 IEEE PoE 標準 100% 的兼容。它支持四種不同的功率等級 (38.7W、52.7W、70W、90W),可以根據應用要求來調整電源供電。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/203250.htm

       供電設備 () 采用了更智能的隔離體系結構,以減少元器件數量,盡量少使用昂貴的外部元器件。全面的電纜放電保護和 80V 絕對最大值的引腳保證了現場工作的高可靠性。采用外部 FET 使散熱性能可滿足應用需求,提高了系統效率,增強了長期可靠性。 體系結構只需要一個 和 PD 控制器,就能夠通過 4 對 100m CAT-5e 電纜提供 90W 的功率。

      系統隔離要求

      要實現供電,需要仔細的選擇體系結構和元器件,以降低系統成本,同時提高性能和可靠性。一個成功的設計必須滿足IEEE隔離要求,在短路和過流事件時保護 Hot Swap™ FET,或者符合 IEEE 規范。PoE 規范清楚地闡述了隔離要求,在 PD 應用電路中,確保斷開接地環路,維持以太網數據完整性并降低噪聲。

      傳統的 PSE 隔離體系結構在主機至 PSE 控制器接口處隔離數字接口和電源。光耦合器等數字隔離單元本質上非常昂貴而且不可靠。能夠實現隔離功能的IC成本非常高,不支持 I2C 高速傳送。而且,對 PSE 邏輯供電的隔離 轉換器增大了電路板面積和系統成本。

      輕松實現隔離

      公司的 12 端口 (LTC4270 / LTC4271) 和 8 端口 PSE (LTC4290 / LTC4271) 芯片組采用了不同的 PSE 隔離方法,將所有的數字功能遷移到隔離邊界的主機側 (圖1)。這極大的降低了所需元器件的成本和復雜性。不再需要單獨的隔離 電源;LTC4271數字控制器可以使用主機的邏輯電源。LTC4271 使用變壓器隔離通信方法控制 LTC4290 或 LTC4270。低成本和廣泛應用的以太網變壓器對可替代 6 個光耦合器。在協議中編程實現含有端口管理、復位和快速端口關斷功能的I2C通信機制,從而降低了輻射能量,提供 1500V 的隔離。

      可靠的電纜放電保護功能

      考慮 PoE 設計的可靠性非常重要,特別是處理大量的電纜、高電壓、大電流或者高溫的情況。公司在這方面經驗豐富,設計了低成本、大吞吐量的電路保護方案,能夠靈活的調整滿足 IEC61000電纜放電電壓要求。只需要一個 TVS 來保護高電壓模擬電源,而在每一個輸出端口上采用一對低成本箝位二極管 (圖 2)。端口上的二極管引導有害的浪涌進入電源軌中,它們被浪涌抑制器以及VEE旁路電容吸收掉。浪涌抑制器還有保護 PSE 控制器不受 VEE 供電瞬變影響的優點。凌力爾特的 PSE 控制器在所有模擬引腳上還有 80V 絕對最大額定限制,實現了對瞬變的保護。

      降低功耗

      凌力爾特的第四代 PSE 和 PD 控制器與 IEEE 802.3at 規范完全兼容,而且 LTPoE++ 功率達到了 90W,同時通過使用低 RDS(ON) 外部 MOSFET 和 0.25? 檢測電阻減小了熱耗散。這對于大功率系統非常重要,在這些系統中散熱設計和功率損耗的成本非常高,對于功率受限的應用也非常重要,這些應用要求在功率預算內盡可能提高工作功率。集成了 MOSFET 的 PSE 和 PD 控制器具有較高的 RDS(ON) 參數,由于在器件內部散熱,因此,很難進行散熱設計。對一個端口的損害會導致整個芯片受損。

      LT4275 (圖 3) 是市場上唯一能夠控制外部 MOSFET 的 PD 控制器,極大的降低了 PD 總熱耗,提高了功效,這對于較大功率應用非常重要。這一創新的方法支持用戶調整 MOSFET 以滿足應用的散熱和效率要求,支持使用 30m? 量級的低 RDS(ON) MOSFET。LT4275 能夠支持高達 90W 的功率。


    上一頁 1 2 下一頁

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 新民市| 华蓥市| 玉溪市| 句容市| 乌兰浩特市| 吉林市| 班戈县| 镇江市| 登封市| 钟山县| 清原| 车险| 青田县| 从江县| 牟定县| 内黄县| 达尔| 成安县| 酒泉市| 大荔县| 江门市| 丁青县| 固镇县| 凉城县| 浦北县| 遂昌县| 务川| 金寨县| 富裕县| 永定县| 庆阳市| 苏尼特左旗| 藁城市| 阿鲁科尔沁旗| 泸水县| 师宗县| 罗甸县| 静乐县| 新竹县| 宜昌市| 新绛县|