英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、 DC-DC轉換器、電動汽車（xEV）輔助設備等應用，以及電動汽車充電、光伏逆變器、儲能系統、通訊和開關電源（SMPS）等工業應用。

英飛凌CoolSiC? MOSFET 750 V G2

憑借4 mΩ和7 mΩ的超低導通電阻，MOSFET在靜態開關應用中擁有出色的表現，并成為eFuse、高壓電池關斷開關、固態斷路器和固態繼電器等應用的理想選擇。英飛凌創新的Q-DPAK頂部散熱式封裝專為提供領先的熱性能和可靠性設計， R DS(on) 值低至4 mΩ，實現行業內最佳規格。

該技術還具有領先的R DS(on) x Q OSS 和更佳的R DS(on) x Q fr，可減少硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗，在硬開關應用場景中效率尤為出色。由于柵極電荷減少，該技術可實現更快的開關速度并降低柵極驅動損耗，提高了在高頻率應用中的效率。

此外，CoolSiC? MOSFET 750 V G2在25°C時具有高電壓閾值（V GS(th),typ 為4.5 V）和超低Q GD/Q GS 比，進一步提高了對寄生導通（PTO）的抗擾性。該技術還支持柵極驅動能力擴展，可承受最高-7 V的靜態柵極電壓及最高-11 V的瞬態柵極電壓。這一更高的電壓耐受性為工程師提供了更大的設計余量，保證了與市場上其他產品更高的兼容性。

CoolSiC? 750 V G2具有出色的開關性能、極佳的易用性和優異的可靠性，并且完全符合AEC Q101車規級部件標準和JEDEC工業級部件標準。該技術通過實現更加高效、緊湊和經濟的設計，滿足了日益增長的市場需求，展現了英飛凌在安全關鍵型汽車應用可靠性和耐用性上的投入。

供貨情況

英飛凌的CoolSiC? MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩ樣品現已開放訂購。