英飛凌推出用于電動汽車的新一代高功率節能型IGBT和RC-IGBT芯片

隨著純電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）銷量的快速增長，電動汽車市場的發展在不斷加速。預計到 2030 年，電動汽車的生產比例將實現兩位數增長，從2024年的20%增長至45%左右^[1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出新一代產品，包括為400 V和800 V系統設計的 EDT3（第三代電力傳動系統）芯片，以及為 800 V 系統量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產品能夠提高電力傳動系統的性能，尤其適用于汽車應用。

EDT3和RC-IGBT裸芯片專為提供高質量而可靠的性能而設計，助力客戶開發定制功率模塊。新一代EDT3較EDT2 有了顯著的進步，其在高負載下的總損耗減少了20%，同時保持了低負載下的效率。這一進步得益于大幅減少芯片損耗和提高最高結溫的優化措施，使得芯片在高負載性能和低負載效率之間實現了平衡。因此，使用EDT3芯片的電動汽車能夠實現更長的續航里程并降低能耗，從而提供更加可持續且經濟高效的行駛體驗。

英飛凌科技汽車高壓芯片和分立器件產品線副總裁Robert Hermann表示：“作為領先的IGBT技術供應商，英飛凌致力于提供性能與可靠性出眾的產品。EDT3解決方案基于我們對創新與低碳化的不懈追求，助力客戶在其諸多應用中實現理想的結果。”

EDT3芯片組提供750 V和1200 V兩種電壓等級，其輸出電流高，適合純電動汽車、插電式混合動力電動汽車、增程式電動汽車（REEV）等各種電動汽車中的主逆變器應用。產品縮小了芯片尺寸并優化了設計，便于制造更小的模塊，降低了整體系統成本。此外，其最大虛擬結溫為185°C，最大集電極-發射極額定電壓為750 V和1200 V，適合高性能應用。通過該產品，汽車制造商能設計出更加高效、可靠的動力傳動系統，幫助延長行駛里程并減少排放。

臻驅科技創始人兼總經理沈捷博士表示：“英飛凌作為臻驅科技的主要 IGBT 芯片供應商和合作伙伴，始終如一地為我們提供實現系統級優勢的創新解決方案。最新的EDT3芯片優化了損耗和損耗分布，支持更高的工作溫度，并提供多種金屬化選項。這些特性不僅減少了每安培所需的硅片面積，還加速了先進封裝技術的應用。"

1200 V RC-IGBT 通過在單芯片上集成IGBT 和二極管功能提升了性能，與分離的 IGBT 和二極管芯片組解決方案相比，實現了更高的電流密度。這一進步帶來了系統成本優勢，得益于更高的電流密度、可擴展的芯片尺寸以及降低的組裝工作量

英飛凌最新的EDT3 IGBT芯片技術現已集成到 HybridPACK? Drive G2汽車功率模塊中，為整個模塊產品組合提供更強大的性能與功能。該模塊在750 V和1200 V功率等級下可提供最高250 kW 的功率范圍，提高了易用性。其下一代相電流傳感器集成選項、片上溫度傳感器等新功能有助于降低系統成本。

所有芯片產品均提供定制芯片布局，包括片上溫度和電流傳感器。此外，英飛凌還可根據要求提供適用于燒結、焊接和鍵合的金屬化選項。

供貨情況

EDT3和RC-IGBT新品現已提供樣品。

[1] 英飛凌估算值