鴻海第四代半導體研究取得大突破

鴻海持續布局先進技術，卡位電動車、衛星通訊等前瞻應用商機，15日宣布旗下鴻海研究院半導體所與陽明交通大學、德州大學奧斯汀分校進行跨國合作，投入第四代半導體的研究，近日已在衛星通訊及高功率元件領域取得顯著突破; 研究成果已發表在國際頂級期刊《Applied Surface Science Advances》及《ACS Applied Electronic Materials》，第四代半導體可應用于電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航天科技。

第四代半導體指的是超寬能隙（UWBG）半導體材料，如鉆石、AlN等，相較于前三代半導體，它們具有更寬的能隙使其在高功率、高頻、高溫環境下表現更優異。

研究團隊從材料特性與制程研發角度出發，發現增加氧氣流量可適時降低氧空位比例，改善結晶品質并減少鋁擴散，提升熱穩定性與組件特性。

鴻海研究院指出，這項成果將為通訊及高功率等領域帶來深遠影響; 第四代半導體可應用于電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航天科技。

鴻海研究院進一步說明，本項研究在第四代半導體領域取得顯著突破，為未來通訊技術和高功率領域應用奠定了基礎; 研究團隊未來計劃進一步優化改善結構設計與制程技術，為全球高功率電子產業注入新動能。

國立陽明交通大學則表示，此一研究不僅提升組件的電流驅動能力和耐壓性，更透過精確的成長參數與結構設計，為未來產業應用開辟了新道路。

針對鴻海半導體布局，鴻海董事長劉揚偉先前表示，鴻海在第三代半導體，從碳化硅（SiC）到硅等，都一直在研發與發展中，會持續布局第三代半導體，包括氮化鎵（GaN）、碳化硅及硅基氮化鎵（GaN on Si）等。 而鴻海不僅有IC設計服務，還有封裝，目前是先鎖定車用芯片，之后會規劃拓展至衛星產業相關的芯片等方向。