五角大樓再次投資1.6億美元，用于推動半導體制造

華盛頓 —— 美國國防部宣布，從拜登政府的《CHIPS與科學法案》下，再次投入資金，用于支持國內半導體發展的微電子共享平臺，這是最新一次重大投資，旨在促進全國范圍內的半導體技術發展。

白宮科學與技術政策辦公室主任、總統科學與技術助理Arati Prabhakar在11月8日五角大樓的新聞稿中表示：“美國的軍事系統是世界上最先進的，這要歸功于先進的半導體技術。”

微電子共享平臺 是一個由技術中心組成的網絡，目前已發展到約1,200所大學、私營公司和其他組織，覆蓋35個州以及華盛頓特區。該平臺旨在促進國內微電子制造行業的發展。

五角大樓的這筆新投資1.6億美元，繼9月國防部宣布從《CHIPS法案》撥款2.69億美元用于美國33個新的芯片研究項目之后。去年9月，五角大樓還首次撥款近2.4億美元用于啟動這八個微電子技術中心。

新資金中，大部分（1.48億美元）將直接投入到全國八個技術中心，包括：

• 馬薩諸塞州東北微電子聯盟中心（1870萬美元）

• 印第安納州硅十字路口微電子共享平臺中心（1660萬美元）

• 加利福尼亞州國防準備電子與微設備超級中心（2700萬美元）

• 北卡羅來納州寬帶隙半導體商業飛躍中心（2370萬美元）

• 亞利桑那州西南部先進原型中心（1870萬美元）

• 俄亥俄州中西部微電子聯盟中心（1230萬美元）

• 紐約州東北地區國防技術中心（1060萬美元）

• 加利福尼亞州-太平洋西北AI硬件中心（1530萬美元）

這1.48億美元將用于“建設基礎設施、支持運營，并加速在這八個技術中心的勞動力發展，”新聞稿中寫道。

另有1000萬美元將用于支持一個“跨中心支持解決方案”，該方案將使各個中心共享訪問關鍵的電子設計自動化、軟件和硬件服務、電子系統開發工具以及云計算工具。還有200萬美元將用于硅十字路口微電子共享平臺中心的原型項目清單。

五角大樓微電子首席主管Dev Shenoy在新聞稿中表示：“微電子共享平臺的目標是實現實驗室到制造的原型開發，將微電子實驗室原型發展到國內設施的制造原型。”

“更具體地說，目標是建立一個全國性的區域創新中心網絡，分布在美國各地，培養國內人才和創新思想，減少創新障礙，并推動新興微電子技術的發展。”