美印宣布將在印度建立半導體工廠，生產氮化鎵、碳化硅等芯片

美國和印度達成協議，將共同在印度建立一家半導體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業的雄心計劃。

據白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統拜登和莫迪在特拉華州會晤后發布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰略技術伙伴關系的支持。

印度在亞洲的戰略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并且已經開始吸引蘋果和三星轉移部分制造業。

9月初，印度科技部長Ashwini Vaishnaw表示，該國正試圖發展整個芯片價值鏈。印度的目標是在本世紀末將其電子行業規模擴大到5000億美元。

莫迪正在美國參加美日印澳“四方峰會”，在為期三天的訪問中，他將與美國領導人舉行雙邊會晤，還將會見印度僑民和美國科技行業高管。