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    大聯(lián)大詮鼎集團推出基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案

    作者: 時間:2023-12-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

    20231221日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股布,其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(InnoGaN器件-INN650TA030AHINN650TA070AHINN650D080BS芯片的2KW 方案。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202312/454176.htm

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    圖示1-大聯(lián)大詮鼎基產(chǎn)品的2KW 方案的展示板圖

     

    近年來,工業(yè)領(lǐng)域?qū)?/span>GaN的需求逐步攀升。根據(jù)AKCP機構(gòu)測算,2023年網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右,成為了實現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)最大的挑戰(zhàn)之一。其中,海量的數(shù)據(jù)需求將繼續(xù)加快數(shù)據(jù)中心的建設(shè)速度。因此,具備更高效率和更高功率密度的解決方案成為數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的迫切需求。在此趨勢下,基于 InnoGaN器件-INN650TA030AHINN650TA070AH、和INN650D080BS芯片推出2KW 方案,旨在利用先進的GaN器件助力服務(wù)器電源實現(xiàn)更出色的能效。 

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    圖示2-基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的場景應(yīng)用圖

     

    本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換,其中,PFC慢橋臂采用2INN650TA030AH,其采用Toll封裝、導(dǎo)通電阻為30mΩPFC快橋臂采用2INN650TA070AH,其同樣采用Toll封裝,導(dǎo)通電阻為70mΩLLC橋臂采用4INN650D080BS,其采用DFN8*8封裝,導(dǎo)通電阻為80mΩ。與Si MOS相比,Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Cotr以及無反向恢復(fù)損耗Qrr等特性。

     

    通過效率測試,在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下,本方案的最高效率可達到96.5%,能輕松滿足80 Plus鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn),進一步為數(shù)據(jù)中心提供高效電源。不僅如此,在通信電源、LED照明等應(yīng)用中,本方案同樣具備小體積、高效率的優(yōu)勢,具有廣泛的應(yīng)用前景。 

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    圖示3-基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的方塊圖

     

    Innoscience在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域進行了多年的產(chǎn)品布局,旗下?lián)碛袕那岸?span style="font-family: 'Arial',sans-serif">PSU電源到主板DC/DC模塊,以及芯片直接供電的全鏈路解決方案。未來隨著GaN的優(yōu)越性能逐漸顯現(xiàn),其相關(guān)技術(shù)將在更多應(yīng)用中大放異彩。在這個過程中,大聯(lián)大將與Innoscience攜手共進、共同開發(fā)先進的解決方案,助力客戶加快GaN技術(shù)的應(yīng)用。

     

    核心技術(shù)優(yōu)勢

    ?   高效率:在230Vac Vin下效率高達96.5%,符合80Plus鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn);

    ?   高功率密度:76W/in3

    ?   1U標(biāo)準(zhǔn)尺寸:185mm×65mm×36mmPCBA)。

     

    方案規(guī)格:

    ?   效率:96.5%@230Vac80 Plus鈦金級能效);

    ?   功率密度:76W/in3

    ?   InnoGaN

    ?  INN650TA070AH *2

    ?  INN650TA030AH *2

    ?  INN650D080BS *4



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