onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:

NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。
其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)。
       NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5 V 和 3.3 V 信號(hào)，并在驅(qū)動(dòng)側(cè)提供較寬的偏置電壓范圍，方便線路應(yīng)用與設(shè)計(jì)。并且在驅(qū)動(dòng)側(cè)也考慮了因開(kāi)關(guān)作動(dòng)下可能產(chǎn)生的負(fù)電壓?jiǎn)栴}，考慮到了NCD57000在承受負(fù)電壓之能力。NCD57000 擁有內(nèi)部的電流隔離，其隔離能力為> 5 kVrms，（UL1577 等級(jí)）和> 1200 VIORM（工作電壓）能力。NCD57000考慮應(yīng)用在開(kāi)關(guān)切換應(yīng)用，擁有很低的傳播延遲能力，最大延遲90 ns和最小的小脈沖失真 25 ns，并擁有很高的共模瞬變抗擾度 (CMTI) ，提高了對(duì)雜訊的抗干擾能力，在 VCM = 1500 V 條件下至少可以承受 100kV/us（最小值）
      目前NCD57000 采用寬體 SOIC-16 封裝，可保證輸入和輸出之間的爬電距離為 8 mm，以滿足增強(qiáng)的安全絕緣要求。

2.方塊圖:

3.電路圖:

4.測(cè)試數(shù)據(jù):

延遲時(shí)間量測(cè):

NCD57000應(yīng)用在開(kāi)關(guān)切換有很低的傳播延遲能力。波型量測(cè)下可以看到延遲僅約0.05uS。

(IN+:輸入訊號(hào);VG: NCD57000驅(qū)動(dòng)訊號(hào);Ig:驅(qū)動(dòng)電流)

驅(qū)動(dòng)電壓基準(zhǔn)電位:

NCD57000驅(qū)動(dòng)電壓的基準(zhǔn)電位穩(wěn)定且不太受環(huán)境溫度影響，不論驅(qū)動(dòng)(source)或關(guān)斷(Sink)基準(zhǔn)電位應(yīng)用在大范圍的溫度變化，仍可保持在一個(gè)穩(wěn)定區(qū)間，可使線路設(shè)計(jì)穩(wěn)定，時(shí)實(shí)際應(yīng)用也會(huì)較方便.

5.方案規(guī)格:

?場(chǎng)景應(yīng)用圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

? 高電流驅(qū)動(dòng)能力 (+4/?6 A) . 

? DESAT 的高負(fù)電壓能力（?9 V）. 

? IGBT 短路期間的軟關(guān)斷功能. 

? IGBT短路期間的柵極箝位功能. 

? 5 kV電流隔離能力(UL1577). 

? 1200V高工作電壓(VDE0884?11) 

? 通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證. 

? 可更換負(fù)載電容器和柵極電阻器 

? 使用外部電源的自定義電壓電平

?方案規(guī)格

? 輸入電壓 (VDD1):6V 

? 輸入電壓(VDD2):25V 

? 負(fù)壓承受能力:-0.3V 

? 驅(qū)動(dòng)電流:4A 

? 關(guān)斷電流:6A 

? 電流隔離能力:5KV 

? 抗靜電能力:2KV 

? 功耗:1400mW