東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造^[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。

通過對柵極設(shè)計和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降低了約13%，漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質(zhì)因數(shù)）降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的雙重降低，并最終實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源效率的提高。 

該新產(chǎn)品采用TOLL封裝，柵極驅(qū)動采用開爾文連接。可以通過降低封裝中源極線電感的影響，增強(qiáng)MOSFET的高速開關(guān)性能，從而抑制開關(guān)過程中的振蕩。 

未來，東芝將繼續(xù)擴(kuò)展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品，并通過降低開關(guān)電源的功率損耗來達(dá)到節(jié)約節(jié)能的目的。 

圖1：漏極-源極導(dǎo)通電阻與柵漏電荷比較 

?  應(yīng)用

-    數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器開關(guān)電源等）

-    光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器

-    不間斷電源系統(tǒng) 

?  特性

-    低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷，有助于提高開關(guān)電源的效率

?  主要規(guī)格

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注：

[1] 截至2023年6月