Transphorm發布業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統，以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比，這些應用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的性能，以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關頻率的5kW 900伏降壓轉換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實現了98.7%的效率，超過了具有類似額定值的量產SiC MOSFET。 

創新的1200伏技術也展現了Transphorm在氮化鎵功率轉換方面的領先地位。垂直整合模式、自有外延片生產能力、以及專利工藝技術，再加上數十年的工程專業知識，使該公司能夠將性能最優異的氮化鎵器件組合推向市場，并且還在以下四個方面具有重大差異化優勢：可制造性、易驅動性、易設計和可靠性。 

在5月9日至11日的PCIM 2023展會上, Transphorm 也發表了關于1200伏器件的信息。

初步器件規格及如何獲取樣品 

Transphorm的1200伏技術以經過驗證的工藝和成熟的技術為基礎，滿足了客戶在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工藝目前在LED市場上已批量生產。此外，1200伏技術充分利用了Transphorm當前器件組合中使用的性能優越、常關型的氮化鎵平臺。 

TP120H070WS器件主要規格包括：

·     內部阻值70毫歐

·     常關型

·     高效雙向導通

·     最大值±20V柵極電壓

·     4伏的柵極驅動低擾度

·     零QRR 反向恢復電荷

·     3引腳TO-247封裝

我們建議將Verilog-A器件型號與SIMetrix Pro v8.5電路模擬器結合使用。LTSpice型號正在開發中，將于2023年第四季度發布。仿真建模有助于實現快速高效的電力系統設計驗證，同時還可減少設計迭代、開發時間和硬件投資。

1200伏功率管樣品預計會于2024年第一季度推出。 

Transphorm氮化鎵功率器件在汽車動力系統和充電生態系統中的應用

1200伏氮化鎵器件不但是各種市場應用的理想解決方案，而且也可為汽車系統提供獨特的優勢。

電動汽車行業，尤其是在大型汽車的更高千瓦節點，將在這十年的后半期朝著800伏電池的方向發展。因此，1200伏電源轉換開關將會被用于提供所需的性能水平。因此，Transphorm的1200伏平臺在新一代車載充電器、DC-DC轉換器、驅動逆變器和充電樁系統領域定會大顯身手。 

對于當前使用400伏電池的電動汽車，Transphorm可提供650伏常關型SuperGaN^?功率管解決方案。這些功率器件符合AEC-Q101標準，可承受175°C的高溫，并已批量生產。 

Transphorm首席技術官兼聯合創始人Umesh Mishra表示： “我們是領先的功率半導體公司，展示并兌現了GaN的承諾。Transphorm的專業知識為市場帶來性能卓越的氮化鎵器件，這些器件時時刻刻在功率密度、性能和系統成本方面樹立新的標準。我們的1200伏技術證明了Transphorm工程團隊的創新愿景和決心。我們正在證明，氮化鎵可以輕松地在此前指定用碳化硅的應用市場中發揮作用。對于我們的業務和氮化鎵技術而言，開啟了廣泛的市場應用潛力。”