銀河微電：功率MOSFET器件已實現Clip Bond技術量產

銀河微電12月20日在互動平臺表示，功率MOSFET器件已實現Clip Bond技術的量產；IPM模塊已完成一款封裝的量產，未來將根據市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開發目標要求；CSP0603封裝已完成技術開發，未來芯片線改擴建時將進行成果轉化。