晶體管、MOS管、IGBT辨別與區分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發晶體管只能控制開啟，不能控制關閉屬于半可控件;電壓觸發MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關斷屬于全可控件。搞懂控件的特點對電力電子器件維修尤為重要，小編根據所學及理解做如下總結，希望能給大家一些幫助。

一、晶閘管

　　1、別名：可控硅是一種大功率半導體器件，常用做交流開關，觸發電流>50毫安

　　2、特點：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率

　　3、主要應用領域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-直流）

二、MOS(MOSFET)管

　　1、作用：

　　MOS管多被用作電子開關，用在控制回路中控制負載的通斷。柵極有電容效應，即使斷開了電源，柵極上可能仍保持著電壓。

　　2、特性：

　　MOSFET高輸入阻抗、驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。N溝道開啟電壓一般在2~4V；P溝道開啟電壓一般在-2~-4V。

　　3、辨別NNOS、PMOS方法：

　　借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S，黑表筆接D，有數值顯示，反過來接無數值，說明是N溝道；若情況相反是P溝道。

　　4、應用領域：

　　步進馬達驅動、電鉆工具、工業開關電源、新能源領域、光伏逆變、充電樁、無人機、交通運輸領域、車載逆變器、汽車HID安定器、電動自行車、綠色照明領域、CCFL節能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮流器。

三、IGBT

　　1、名稱：絕緣柵雙極型晶體管，是MOS管和三極管的結合體，主要作用是逆變和變頻，俗稱電力電子裝置的“CPU”。

　　2、特點：兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點,驅動功率小而飽和壓降低。呈7大特性：1、80%IGBT帶阻尼二極管，且可以替代不帶阻尼管使用；2、可以理解為大功率三極管和場效應管組成，但不能簡單代替使用；3、檢測方式可以是蜂鳴檔，也可以是二極管檔位；4、繼承了場效應管的高阻抗和三極管的高反壓的優點，耐電壓、耐電流，低功耗；5、應用范圍管：電流10-3300A、電壓600-6500V、工作頻率10-30Kh；6、可做高速開關使用；7、啟動電壓低3V左右，飽和導通電壓較高為5-15V。

　　3、應用領域：非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

　　由于硬件條件不足、自身知識水平有限，可能有講的不恰當之處，敬請各位多多指正！本人本著相互學習，共同進步的誠心，歡迎各位來電交流。