意法半導體推出下一代衛(wèi)星用2.5V抗輻射加固數(shù)模轉(zhuǎn)換器

意法半導體RHRDAC121抗輻射加固數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)的最低工作電壓為 2.5V，適用于老式 3.3V數(shù)模轉(zhuǎn)換器不支持的現(xiàn)代低功耗系統(tǒng)設計。

新產(chǎn)品是內(nèi)置逐次逼近寄存器 (SAR)的12 位1Msps數(shù)模轉(zhuǎn)換器，在最高轉(zhuǎn)換速率和電源電壓時功耗僅為0.6mW，這種低功耗設計有助于降低下一代衛(wèi)星的尺寸、重量和功耗 (SWaP)。典型應用包括遙測、內(nèi)務管理和精密傳感器增益調(diào)整。功能特性包括SPI兼容串行輸出、內(nèi)部電壓基準和自動上電復位至零伏輸出，這些功能可以用最少的外部組件實現(xiàn)高精度，降低電路復雜性和電路板面積。

RHRDAC121 在高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID) 的惡劣條件下保持性能參數(shù)穩(wěn)定，在高達 125MeV.cm2/mg條件下，沒有單粒子閂鎖 (SEL)效應，并測試分析了單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子翻轉(zhuǎn) (SEU)效應，因策，這款產(chǎn)品可以直接部署到實際應用中，無需按照高一級標準進一步篩選器件。

RHRDAC121通過QML-V標準認證，采用金引線或浸焊引線密封陶瓷封裝，同時還提供裸片產(chǎn)品。新產(chǎn)品在歐洲設計制造，采用意法半導體在航天業(yè)從業(yè)45 年打造的市場口碑很好的130nm 全CMOS 技術(shù)工藝。新數(shù)模轉(zhuǎn)換器的開發(fā)資金由法國航天局 CNES（Centre National d’Etudes Spatiales）提供。