• <li id="00i08"><input id="00i08"></input></li>
  • <sup id="00i08"><tbody id="00i08"></tbody></sup>
    <abbr id="00i08"></abbr>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > 網絡與存儲 > 新品快遞 > 英韌科技發布12納米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX

    英韌科技發布12納米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX

    作者:admin 時間:2021-09-10 來源:電子產品世界 收藏

    繼2020年在全球范圍內率先量產12納米PCIe 4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236及IG5636(企業級)后, 英韌科技于2021年9月7日發布Rainier系列全新產品——12納米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX 。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202109/428178.htm

    RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口,支持4個NAND通道,每個通道最多8個CE片選通道,全面支持NVMe1.4協議。 RainierQX還具有以下優勢:

    1.采用業界領先的技術,通過獨立平層訪問,以實現極致高速的讀取訪問,并在有限的芯片數量的情況下,有效提高4K隨機讀取性能高達1M IOPs以上;
    2.順序讀取性能超過7GB/s,順序寫入性能超過6GB/s;
    3.專有ECC解決方案采用先進的4K LDPC技術,為最新的TLC和QLC提供卓越的糾錯能力,并提供功耗感知多級解碼策略;
    4.超大SSD容量高達4TB。

    值得一提的是,RainierQX具有增強的12納米FinFET設計的無DRAM架構,英韌科技董事長兼首席執行官吳子寧博士表示:“在DRAM成本增加,PC OEM和渠道市場面臨巨大成本壓力的市場環境下, RainierQX 將成為目前無DRAM控制器的最佳解決方案。

    RainierQX在提供低功耗、實現更低BOM成本的同時,因采用業界最快的2400MT/s NAND通道接口和專有數據路徑加速器,仍可以提供與DRAM解決方案相同的峰值性能,這使得該方案明顯優于同類產品中的其他解決方案。”

    自成立以來,英韌科技致力于通過提供高性能、低功耗、安全、可靠的存儲控制芯片,解決人工智能和其他大數據應用中的數據存儲和數據傳輸問題。面對市場的多元變化,英韌科技已做好充分準備,專注目標,持續深耕,賦能產業,助力存儲技術的更快發展。



    關鍵詞:

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    主站蜘蛛池模板: 灵石县| 山西省| 高青县| 梨树县| 新野县| 施秉县| 武川县| 南开区| 临湘市| 六安市| 五原县| 建湖县| 民乐县| 建水县| 乌拉特后旗| 马公市| 定远县| 宜君县| 霍邱县| 永年县| 灵山县| 三台县| 曲松县| 乌苏市| 桦南县| 嘉善县| 阿荣旗| 乡城县| 遵义市| 新宾| 花莲县| 长寿区| 新巴尔虎左旗| 宜兴市| 平谷区| 吕梁市| 怀集县| 洛宁县| 南岸区| 保靖县| 东乌珠穆沁旗|