泛林集團推出先進介電質填隙技術，推動下一代器件的發展

近日，全球半導體產業創新晶圓制造設備及服務主要供應商泛林集團近日 宣布推出一款全新的工藝方案——先進的Striker^? FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構。Striker FE平臺采用了業界首創的ICEFill?技術，以填充新節點下3D NAND、DRAM和邏輯存儲器的極端結構。不僅如此，該系統還具備更低的持續運行成本和更好的技術延展性，以滿足半導體產業技術路線圖的發展。

半導體制造行業一直以來使用的填隙方法包括傳統的化學氣相沉積 (CVD)、擴散/熔爐和旋涂工藝。然而，由于這些技術需要在質量、收縮率和填充率之間權衡取舍，因此已無法滿足當前3D NAND的生產要求。相比之下，泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術，可以實現高選擇性自下而上及無縫的填隙，并保持原子層沉積 (ALD) 固有的成膜質量。 ICEFill技術能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制，避免DRAM和邏輯器件結構倒塌的問題。

泛林集團高級副總裁兼沉積產品事業部總經理Sesha Varadarajan表示：“我們致力于為客戶提供最好的ALD技術。在單一工藝系統中，這項技術不僅能夠以優異的填隙性能生產高質量氧化膜，還整合了泛林集團行業領先的四位一體的模塊架構帶來的生產率優勢。”

全新的工藝方案——先進的Striker^? FE平臺

Striker FE平臺的ICEFill技術屬于泛林集團Striker ALD產品系列，欲了解該系列產品的更多信息，請訪問 產品頁面 。