Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩定性，節省空間

奈梅亨，2020年5月27日：半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復二極管的熱穩定性。

新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎設施和服務器市場為目標市場，尤其適合高溫應用，例如，LED照明、發動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區域，在不超過175 °C的條件下不會發生熱失控。同時，工程師也可以使用適用于高溫設計的快速恢復二極管，優化設計以實現更高效率。SiGe整流器增大低正向電壓(Vf)和低Qrr，使傳導損耗降低10-20%。

PMEG SiGe設備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業標準的節省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。封裝采用實心銅夾片，降低熱阻，優化熱傳輸至周圍環境，使PCB更小、更緊湊。此外，使用SiGe技術，能夠輕松實現肖特基和快速恢復二極管的引腳到引腳替換。

Nexperia產品經理Jan Fischer評論道：“使用Nexperia的創新型鍺化硅技術，讓工程師有更多選擇來設計電源電路，最終構建引領市場的產品，這是之前從未有過的。SiGe是Nexperia功率二極管產品的完美補充，該產品采用夾片粘合FlatPower (CFP)封裝，包括100多個肖特基整流器和快速恢復整流器。此外，我們還將繼續擴展產品組合，始終為客戶提供符合其應用的產品。”

第一批4款符合AEC-Q101標準的120V SiGe整流器目前已進入量產階段。更有8款150V和200V的產品現可提供樣片。