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    “新基建”號(hào)角吹響,紫光國(guó)微貢獻(xiàn)科技力量

    作者: 時(shí)間:2020-04-02 來(lái)源:紫光國(guó)微 收藏

    經(jīng)過(guò)抗擊疫情磨礪的中國(guó)正在迎來(lái)復(fù)工復(fù)產(chǎn)的熱潮,經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展日益呈現(xiàn)出勃勃生機(jī)。近日召開(kāi)的中央政治局常務(wù)委員會(huì)上提出,要進(jìn)一步加快推進(jìn)5G網(wǎng)絡(luò)、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等七大“新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”(簡(jiǎn)稱),不僅能減緩疫情對(duì)經(jīng)濟(jì)的負(fù)面沖擊,更能推動(dòng)改革創(chuàng)新,培育發(fā)展新動(dòng)能,對(duì)我國(guó)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展具有巨大推動(dòng)作用。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/202004/411629.htm

    隨著風(fēng)口的到來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。一方面,5G龐大的基站網(wǎng)絡(luò)對(duì)于設(shè)備、電力等的配套需求,新能源汽車市場(chǎng)快速發(fā)展對(duì)于充電樁建設(shè)的需求等一系列產(chǎn)業(yè)鏈需求將會(huì)催生半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)爆發(fā)。另一方面,有望加速我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。而在這其中,功率半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于新基建七大領(lǐng)域,它是我國(guó)汽車工業(yè)、高鐵、電網(wǎng)輸電等系統(tǒng)應(yīng)用的上游核心零部件,戰(zhàn)略地位突出。

    據(jù)中國(guó)充電聯(lián)盟數(shù)據(jù)顯示,截至2020年1月底全國(guó)已建成公共充電樁53.1萬(wàn)臺(tái),遠(yuǎn)低于《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南(2015-2020)》規(guī)劃的1:1要求。據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè),未來(lái)10年將形成萬(wàn)億規(guī)模的充電樁基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)市場(chǎng)。隨著國(guó)家層面戰(zhàn)略部署“新基建”,充電樁作為新能源汽車基礎(chǔ)設(shè)施將迎來(lái)發(fā)展“春天”。并且在電動(dòng)化趨勢(shì)下,汽車半導(dǎo)體用量翻倍以上的增長(zhǎng),根據(jù)Strategic Analysis 數(shù)據(jù),電動(dòng)汽車所新增的半導(dǎo)體需求有較大比例在功率器件領(lǐng)域。

    旗下無(wú)錫紫光微電子專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品銷售,所開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的高壓超MOSFET、IGBT、IGTO等先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)、混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。公司自2018年起就高度關(guān)注新能源汽車衍生市場(chǎng),憑借前瞻的市場(chǎng)布局、出色的設(shè)計(jì)能力以及高效的執(zhí)行力,近年來(lái)推出一系列對(duì)標(biāo)國(guó)際一線廠商的MOSFET產(chǎn)品,其中以國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高壓超結(jié)MOSFET尤為突出,它基于電荷平衡理論并采用先進(jìn)的深槽刻蝕技術(shù),可顯著降低器件的導(dǎo)通電阻和柵電荷,在充電樁、開(kāi)關(guān)電源、充電器等市場(chǎng)應(yīng)用中,可很好的兼容具有PFC、正激、反激等多種拓?fù)湫问降碾娐方Y(jié)構(gòu),顯著減小系統(tǒng)的功率損耗并提高轉(zhuǎn)換效率,能夠高效解決行業(yè)目前面臨的充電難問(wèn)題,為“新基建”發(fā)展注入源源不斷的新活力。

    此外,作為新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分的核心元器件IGBT,也在的產(chǎn)品研發(fā)布局中。IGBT兼有MOSFET高輸入阻抗和雙極器件低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),是目前電力電子和綠色能源的主力功率器件。公司的IGBT產(chǎn)品以實(shí)際應(yīng)用為設(shè)計(jì)基礎(chǔ),使用先進(jìn)的NPT(非穿通型)和溝槽型FS(場(chǎng)終止型)IGBT 技術(shù),能夠?yàn)榇蠊β蕬?yīng)用客戶提供優(yōu)質(zhì)可靠的系統(tǒng)解決方案,突破新能源汽車核心技術(shù),大力推進(jìn)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

    “新基建”作為助力傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向網(wǎng)絡(luò)化、數(shù)字化、智能化方向發(fā)展的信息基礎(chǔ)設(shè)施,將會(huì)加速產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí),提高社會(huì)運(yùn)行智能化水平,支撐我國(guó)數(shù)字經(jīng)濟(jì)的騰飛。未來(lái),將繼續(xù)堅(jiān)持創(chuàng)新、業(yè)務(wù)創(chuàng)新、服務(wù)創(chuàng)新和管理創(chuàng)新,用“芯”成就客戶價(jià)值,承載“新基建”發(fā)展之需,為國(guó)家新一輪基礎(chǔ)項(xiàng)目建設(shè)貢獻(xiàn)力量。 



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