英特爾解釋10nm芯片為何推遲！承諾2021年推7nm產品

據Anandtech報道，在美國當地時間8日舉行的的英特爾投資者日上，首席執行官Bob Swan和總裁Murthy Renduchintala談到了公司在制造能力方面的能力。英特爾在處理其工藝技術方面一直表現強勁，但其10nm工藝的延遲顯然引發了多個問號，并且已經持續了好幾年。這兩位英特爾高管詳細介紹了英特爾在此期間所做的工作，以及它如何從這些問題中吸取教訓。

早在2013年，英特爾通過提供2.7倍密度，采用自對準四邊形圖形（SAQP），有源觸點接觸（COAG），Cobolt互連以及EMIB等新封裝技術等新技術，設想其10納米能夠成功實現14納米。和Foveros。英特爾承認這是一項雄心勃勃的計劃，目標尚未與團隊明確界定，最終過于復雜，無法以理想的方式進行管理。

最終將10nm推向了更晚的時間框架。在這種情況下，英特爾將10nm推向2019年（技術上他們在2017年以10nm的速度小批量發運了Cannon Lake，但這只不過是半導體時間線上的古玩），填補了14+和14 ++的空白。

自成立以來，Intels 14+和14 ++流程從流程中提取了超過20％的性能（從Broadwell到Whiskey Lake）。因此，英特爾不僅準備好為將來的節點內優化做好準備，而且實際上會調整路線圖來彌補它。Murthy明確表示，英特爾希望在新流程開始時引入摩爾定律，并在流程結束時再獲得類似的收益。

英特爾表示其10nm產品系列（Cannon Lake以外）將于今年年中（2019年）開始供貨，Ice Lake將在客戶平臺（筆記本電腦）上推出。

英特爾將在2019年和2020年推出多款10nm產品，包括2020年上半年基于服務器的10nm產品：

在上面的幻燈片中，英特爾聲稱它將在生產中投入7納米并在2021年推出一款產品。對于一家遇到10納米問題的公司來說，這聽起來非常激進。它甚至在Intels radmap中顯示，10nm（和10+和10 ++）的生命周期比14nm系列工藝短得多。

考慮到這一點，英特爾的7納米將成為英特爾從14納米和10納米系列產品中學到的東西的組合。英特爾希望進行2倍擴展（Moores Law），但計劃中的節點內優化作為路線圖的一部分。英特爾還在減少設計規則的數量，這有助于執行。7nm也將是英特爾與EUV交叉的地方，并且還將推出下一代Foveros和EMIB打包。

英特爾提供了這張幻燈片，其中顯示了一個單片PC中心芯片，其中包含一個基于Foveros和EMIB的多芯片以數據為中心的芯片。這證實了我們與英特爾芯片和封裝團隊的討論，他們還表示我們會在組合產品上看到Foveros和EMIB，特別是GPU。

英特爾宣布其7納米領先產品（領先=頂級，或領先=第一？）將成為其新的GPGPU，基于Xe圖形架構。英特爾表示，其Xe產品堆棧將具有兩種不同的微體系結構，從移動客戶端到GPGPU，其中一種架構稱為Arctic Sound--技術上，英特爾將根據其新聞稿在2020年推出其首款獨立GPU，但7nm GPGPU將將于2021年推出。