DDRx的關(guān)鍵技術(shù)介紹
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正是由于POD電平的這一特性，DDR4設(shè)計了DBI功能。當一個字節(jié)里的“0”比特位多于“1”時，可以使能DBI，將整個字節(jié)的“0”和“1”反轉(zhuǎn)，這樣“1”比“0”多，相比原(反轉(zhuǎn)前)傳輸信號更省功耗，如下表一所示。
表一 DBI示例
以上就是DDRx的一些主要的關(guān)鍵技術(shù)介紹，可以用如下表二所示來總結(jié)下DDRx的特性對比。
表二 DDRx SDRAM特性對比
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正是由于POD電平的這一特性，DDR4設(shè)計了DBI功能。當一個字節(jié)里的“0”比特位多于“1”時，可以使能DBI，將整個字節(jié)的“0”和“1”反轉(zhuǎn)，這樣“1”比“0”多，相比原(反轉(zhuǎn)前)傳輸信號更省功耗，如下表一所示。
表一 DBI示例
以上就是DDRx的一些主要的關(guān)鍵技術(shù)介紹，可以用如下表二所示來總結(jié)下DDRx的特性對比。
表二 DDRx SDRAM特性對比
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