Intel 10nm工藝揭秘：晶體管密度比肩臺積電/三星7nm

　　作為科技行業著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經跳票三年之久，每當一款新的處理器發布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續跳票10nm工藝。

　　對于很多用戶而言，都在疑問為何英特爾一直跳票10nm呢?因為相比起同期的臺積電、三星等廠商，10nm工藝早已經量產上市，并已推出蘋果A11、Exynos 9810等芯片，而作為PC領域中的大哥人物，為何英特爾跟不上潮流的發展呢?而今天，外媒TechInsight就給出了一份滿意的答復。

　　目前，Intel 10nm處理器已經小批量出貨，已知產品只有一款低壓低功耗的Core i3-8121U，由聯想IdeaPad 330筆記本首發。

　　TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發現，直接證實了Intel新工藝的先進性。

　　分析發現，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術，晶體管密度達到了每平方毫米1.008億個(符合官方宣稱)，是目前14nm的足足2.7倍!

　　作為對比，三星10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當于Intel的一半多，7nm則是每平方毫米1.0123億個，勉強高過Intel 10nm。

　　至于臺積電、GF兩家的7nm，晶體管密度比三星還要低一些。

　　換言之，僅晶體管集成度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好!

　　另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠勝對手。

　　事實上與現有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標。

　　Intel 10nm的其他亮點還有：

　　- BEOL后端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，后者是一種貴金屬

　　- BEOL后端和接觸位上首次使用自對齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)

　　- 6.2-Track高密度庫實現超級縮放(Hyperscaling)

　　- Cell級別的COAG(Contact on active gate)技術

　　當然了，技術指標再先進，最終也要轉換成有競爭力的產品才算數。