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    明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

    作者: 時間:2017-12-25 來源:集微網 收藏

      內存明年市況恐將不同調,市場仍將持續吃緊, Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201712/373478.htm

       Flash 市場今年都處于供不應求狀態,產品價格同步高漲,只是業界普遍預期,明年 Flash 市況恐將不同調。

      內存模塊廠創見指出,DRAM 市場供貨持續吃緊,價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟,生產良率改善,可望填補供貨缺口。

      另一內存模塊廠威剛表示,短期內全球 DRAM 大廠仍理性看待產能議題,并未有大幅破壞產業生態的計劃,持續正面看待 DRAM 市況。

      NAND Flash 方面,威剛指出,隨著供貨商 3D NAND Flash 良率逐步改善,預期明年第 1 季整體供需將出現轉變。

      美光預期,明年 DRAM 位供給將增加約 20%,市場環境仍將持續健康;NAND Flash 位供給則將增加近 50%,供給增加幅度將遠高于 DRAM。



    關鍵詞: DRAM NAND

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