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    DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家?

    作者: 時間:2017-10-14 來源:OFweek電子工程網 收藏
    編者按:DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現價格瘋漲現象,在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中,也許大家都是贏家。

      在據業者估計,2017年整體價格漲幅將高達39%,在智能手機存儲器容量提升以及服務器需求的驅動下,明年將出現持續增長現象。

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/201710/370042.htm

      據市場調查數據顯示,2016年第四季度供不應求,帶動2017年第一季度上漲30%以上。以市場整體走向來看,今年第三季度平均漲幅約7%,未來第四季度漲幅約5%-10%,雖然漲幅依舊,但是至2018年,漲幅會逐漸趨于平穩,相比2017年,漲幅不會太大。

      DRAM連續一年漲幅的主要原因為以下幾點,其一,近年來,小米、華為以及OPPO等國產手機開始走中高端路線。其二,數據中心的服務器對于DRAM需求加強。其三,DRAM產業制程接近極限,技術研發難度增加,導致供貨短缺。

      至于Flash走勢情況,據業者分析,在今年第四季度蘋果需求的沖擊下,其缺口會逐漸擴大,但是除蘋果外,其余手機廠商對于Flash并沒有需求,所以其整體相對于第三季度會處于平衡狀態。明年第一季度為傳統淡季,整體價格可能會不升反降。

      在芯片市場的沖擊下,三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場份額,強勢控制價格增長的比率。至于國內外其余芯片企業,則“分羹”較少,處于緊追猛趕的狀態,但整體來看,國內外市場短期內也是呈現欣欣向榮之景。

      三星的布局

      在經歷Galaxy Note 7手機爆炸的影響后,三星對于產品質量以及生產過程有了嚴格的把控,借助于DRAM市場漲勢,三星漸漸“恢復元氣”。作為全球最大的DRAM芯片制造商,三星無疑是這場漲勢中最大的受益者,據第二季業績展望報告顯示,其營業利潤再創新高,同比增長約72%,預計未來第三季度將持續增長。

      據了解,蘋果、OPPO、三星以及Vivo已經承包了三星DRAM近70%的產量,而三星由于3D Flash制程良率以及相關印刷電路板材料短缺的問題,使得DRAM供應短缺更加嚴重。

      對于新技術研發方面,三星似乎早有布局。據消息稱,三星目前正在研發17nmDRAM,預計明年將進入量產階段。同時,三星也展開了16nmDRAM的研發,不過最快量產時間也將在2020年,畢竟隨著制程技術提升,后面的研發難度會越來越大。而且三星預測15nm將接近DRAM的物理極限,未來將很長時間開發新材質,提升制程穩定性以便于縮小線寬。

      以目前市場來看,Galaxy Note 8的預定量再創歷史新高,而且iPhone X所搭載的OLED屏幕均來自于三星,故三星第三季度的營收數據肯定不會太差,據消息透漏,三星將于月底公布營收的詳細結果。



      美光建設新廠 研發全新技術

      此前,美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區由于氮氣泄露的原因,造成5000至1萬片的晶圓直接報廢,4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。好在公司迅速解決并恢復正常生產運作,對于其之后的產能并沒有太大的影響。

      8月14日,美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設成功。據悉,這個工廠主要用于美光研發全新內存以及存儲技術,美光技術開發執行副總裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技術研發中心已經轉入其日本廣島的制造工廠,未來將加快3D NAND以及DRAM全新技術的研發。

      受惠于DRAM市場的漲潮,美光預計2017年會計年度第四季營收同比增長91%,高達61.38億美元,且對于2017年底營收的展望遠超市場預期,預估為63億美元左右。美光執行長SanjayMehrotra表示,美光1X納米DRAM以及64層3D NAND的良率將于今年年底達到穩定階段,從產業目前情況來看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都將供不應求。


    DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家?


      SK海力士強勢出擊

      對于內存與存儲器市場,SK海力士則表現的極為“豪氣”,直接出資86.1億美元進行3D NAND Flash以及DRAM擴產,似乎是市場趨勢一片大好的原因,SK海力士將兩廠擴產竣工的時間直接縮短至明年第四季度。

      據了解,此次SK海力士擴產主要用于技術升級,產能至多提升3%-5%,相對于美光來說,這更像是一場新技術研發速度的比賽,畢竟美光剛建設新廠不久,兩者建設新廠的目的似乎不謀而合。

      在產品研發上,SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片,并于4月再次推出AI、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6。

      在NAND Flash 產品方面,美光成功開發出72層堆疊芯片,相比于上一代48層堆疊芯片,其運行速度提升2倍,讀寫性能提升了20%,生產效能也增長了30%,目前已經開始量產。

      總結:

      在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下,三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現狀,而是不斷研發全新產品。在這場角逐中,或許他們三者都是贏家。



    關鍵詞: DRAM NAND

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