Cannon Lake仍未正式面市 英特爾再推10nm Ice Lake所為何來

　　英特爾(Intel)計劃于8月21日推出其第8代Core處理器，并在其官網上宣布，正在開發下一代處理器平臺“Ice Lake”，并稱采用英特爾領導級10納米+制程技術，這將成為英特爾第2款10納米制程處理器家族，但由于英特爾首款10納米Core架構“Cannon Lake”都還沒正式詳細介紹，英特爾就在官網再透露第2款10納米芯片平臺，也讓外界感到意外。另外，由此觀察，為何英特爾在桌上型電腦(DT)及NB處理器平臺發展上制程采用將分道揚鑣，也令外界感到疑惑。

　　根據科技網站AnandTech及PC World報導，對英特爾來說，在中央處理器(CPU)架構上先對外說明超過一代以上的平臺產品線的舉動有些罕見，且英特爾還稱Ice Lake為即將發表的第8代Coffee Lake處理器的繼任產品線，這對于采14納米制程的Coffee Lake及10納米制程的Cannon Lake最終的產品定位，似乎形成了一些混淆性，是否Ice Lake會成為英特爾第9代Core家族首個成員，外界分析認為可能會、也可能不會。

　　因如今英特爾已放棄過往的“tick-tock”模式，且開始將處理器進行小部分微調的重新設計結合至制程本身，因此如今英特爾下一代芯片的命名已變得無關緊要。

　　有鑒于英特爾在2017年美國消費性電子大展(CES 2017)上，已展示其基于后Kaby Lake設計、采10納米制程的Cannon Lake，之后英特爾也證實其第8代DT處理器Coffee Lake將于21日發布，因此Ice Lake似乎準備跟隨Coffee Lake及Cannon Lake腳步，以基于10納米+的單一架構接替這兩個架構。

　　英特爾在14納米上共有3個制程，分別是14納米、14納米+及14納米++，另也將有3個10納米制程，分別是10納米、10納米+及10納米++。其中在DT領域，Core處理器將遵循14納米、14納米+及14納米++路徑發展，因而可見Skylake到Kaby Lake到Coffee Lake的發展。

　　在NB領域，則從14納米到14納米+再到14納米++與10納米，在此情況下，除了上述Skylake到Kaby Lake到Coffee Lake的發展外，在Coffee Lake世代推出期間英特爾也將面向NB市場推出Cannon Lake，在此之后的下一個制程節點勢必為10納米+，此即最新宣布的Ice Lake。

　　在此不免感到困惑的是，為何英特爾在DT及NB芯片平臺制程技術發展上會分道揚鑣，NB領域會分出14納米++及10納米，DT領域就不發展10納米而選擇直攻10納米+，報導分析認為，這與英特爾制程技術及朝更新微影節點邁進的能力有關。

　　英特爾原先預測在2016年底可進入10納米制程，時間點為其推出14納米制程后2年，不過在管理步入其10納米版本所需技術上卻面臨困境。簡單來說，英特爾首代10納米需要小型處理器以確保高良率，英特爾似乎是將較小尺寸的晶粒大小植入10納米Cannon Lake中，而將較大的35W+芯片植入14納米++的Coffee Lake中。

　　因此，如果英特爾在DT處理器發展上，停留在14納米++制程技術稍微久一點，將有助英特爾有更多時間進一步開發其10納米制程技術，借由先從事其他大型芯片技術的制造，如現場可程式邏輯閘陣列(FPGA)或MIC架構，引導英特爾為其更大型芯片制造邁向10納米+制程節點。

　　從制造的角度看，英特爾在其14納米制程上一直采用多重顯影技術，業界也正在關注何時將會步入采用極紫外光(EUV)微影技術的階段，關鍵在于EUV技術將有助縮短面市時間，以及可讓制程變得更為容易，而目前也有幾家晶圓制造業者正在等待英特爾先投入采用EUV技術。若EUV技術尚未準備就緒，英特爾將不得不更深入投資于多重顯影技術，但這不僅會提高成本、也會降低良率，以及大幅增加晶圓制造所需時間。

　　有鑒于英特爾將Ice Lake定位為后第8代Core架構，Ice Lake可能會在2018年或是2019年問世，但確切時間點將取決于英特爾10+納米制程技術進展以及更大芯片的進展率，至于FPGA、MIC及客制化晶圓合作伙伴等其他市場部門，也都有投入部分10納米的動作。