華虹宏力閃耀CITE2017 核心技術喜獲金獎

　　2017年4月9日-11日，第五屆中國電子信息博覽會(CITE2017)在深圳會展中心如期舉行。全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)連續第二年參展。今年華虹宏力不僅獨立設置展區，還攜最新技術和產品閃亮登場中國高端芯片聯盟專區和傳感器與物聯網聯盟專區，集中展示了作為中國半導體產業主力軍的風采。同時，還憑借“600V-1200V場截止型IGBT芯片制造工藝技術”在 “CITE創新之夜”頒獎典禮上榮獲“2017CITE創新產品和應用金獎”。上個月，該項目剛摘得“第十一屆(2016 年度)中國半導體創新產品和技術”獎。

　　展會期間，工業和信息化部副部長劉利華及電子信息司司長刁石京等領導興致勃勃地來到公司的展臺前，觀看了我們的展品和企業介紹。

　　華虹宏力流線型展臺的右側，大幅海報將華虹宏力二十載制“芯”之路娓娓道來。另一側，以“科技創芯，智造未來”為主題，公司給新老朋友們準備了最新的工藝及產品解決方案。華虹宏力擁有全球領先的嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝平臺組合，涵蓋OTP、MTP、EEPROM和Flash等技術。2016年，基于此技術平臺的智能卡出貨量高達22億顆，其中SIM卡出貨18億顆，占全球33%的市場份額。采用公司eNVM技術制造的金融IC卡芯片產品分別通過了EMVCo、CC EAL5+、萬事達CQM認證等多項國際權威認證，獲得了中國“芯”拓展海內外金融IC卡市場的“通行證”。目前，華虹宏力90納米eNVM工藝已成功量產。應對迅猛發展的微控制器(MCU)市場，華虹宏力推出了業界領先的0.11 微米超低漏電(ULL)嵌入式閃存及eEEPROM技術平臺，可提供全面、靈活、極具競爭力的解決方案。

　　功率器件技術平臺是華虹宏力又一戰略重點。隨著新能源汽車、智能家電等市場勁升，功率器件需求量大幅上漲。華虹宏力作為全球首家、最大的功率分立器件200mm代工廠，在功率器件產品穩定量產上擁有15年的經驗，可為客戶提供獨特的、富有競爭力的超級結MOSFET(SJNFET)和場截止型IGBT(FS IGBT)工藝。值得一提的是，此次獲獎的“600V-1200V場截止型IGBT芯片制造工藝技術”可提供深溝槽刻蝕、鈍化、超薄片加工(包括背面注入、激光退火、背面金屬化)等國際領先技術。IGBT作為功率器件的主流發展方向，已在變頻家電、工業控制、汽車電子、新能源、智能電網等諸多領域獲得廣泛應用，市場前景廣闊。華虹宏力將持續創新，致力于為客戶提供高品質、高可靠性的IGBT芯片制造代工服務。

　　另外，作為完整的功率IC代工方案提供商，華虹宏力還擁有久經驗證的CMOS模擬和更高功率密度的BCD/CDMOS工藝平臺，為PMIC、智能電表、快速充電等熱點應用打造高能效、低成本、質量可靠的工藝平臺。