武漢新芯：成就國內半導體存儲器領路人

　　12月12日，工業和信息化部軟件與集成電路促進中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動整機與芯片聯動，打造集成電路大產業鏈”為主題的“2013中國集成電路產業促進大會暨第八屆‘中國芯’頒獎典禮”，慧聰電子網記者受邀參與會議。會議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長兼總裁王繼增先生。

　　據了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國以來湖北省單體投資規模最大的高科技制造項目，是國家認定的首批重點集成電路生產企業。主要采用90納米及更高工藝技術水平生產12英寸存儲類邏輯芯片，包括動態存儲器(DRAM)，靜態存儲器(SRAM)，閃存(FLASH)等，這些產品是各類消費類電子產品的核心部件廣泛應用于如計算機、數碼相機、MP4、數字家電、手機、顯示器等領域。半導體作為國家戰略部署產業，武漢新芯受惠于國家政策以及資金的支持。

　　王繼增先生在采訪中表示，新芯目前積極同國內微電所、知名院校進行合作，布局尖端的技術領域。同時表達出愿與行業上下同仁，共同打造產業生態環境。

　　全球應用NOR閃存技術的產量保持在35億到40億的規模，由于在低容量市場收到廉價NAND器件的沖擊，所以其市場容量近一年下降了近10%，新芯會將產量維持在定量生產。其中45nm技術已做到8G，達到國際領先水平。

　　對于公司未來的發展，王繼增先生指出，在OEM代工市場，中芯國際等企業已經達到較高的發展水平，新芯將走差異化的發展，在分析國內外市場之后，發現3D NOR技術封裝將是未來發展的重點方向，集成電路在技術研發中，會發現伴隨著芯片的壓縮，其成本會大幅度提高。2015年3D NOR將替代2DNOR實現高速發展水平。

　　從全球來看，3D NOR市場還在起步階段，目前只有三星產出樣品，新芯將在此項技術加大投入，決心成為中國存儲半導體領先企業。3D NOR的發展相比芯片萎縮會節約大量的成本，國內市場需求占據全球近半數，在保證45nm技術的同時，進行3d技術提升，并將揉合mobile rom設計，伴隨著終端設備功能的不斷完善，對芯片的需要也逐年增加，技術要求也增強。新芯的目標打造ISM(集成次系統組件)制造商，進行自有存儲品牌生產。