在40-nm 工藝節點實現世界上最先進的定制邏輯器件

圖2. 晶體管源極漏電流
源極至漏極泄漏也被稱為亞閾值泄漏，是漏電流的主要因素。在這里，即使晶體管邏輯門關斷，電流也會從晶體管源極流向漏極。由于晶體管越來越小，很難防止出現這類電流，因此，在其他參數都相同的條件下，較小的40-nm 晶體管比大工藝尺寸的晶體管更容易出現源極至漏極泄漏，而且漏電流更大。
晶體管閾值電壓(Vt) 也會影響源極至漏極泄漏的大小。晶體管Vt 是溝道開始傳導柵極和源極之間電流的電壓值。較小的高速晶體管需要較低的Vt 通過柵極控制來保持晶體管打開和關斷的速率，但是由于晶體管溝道不能徹底關斷，這也會增加漏電流。另一問題是柵極氧化層的厚度，它和攙雜一起也會影響Vt。較薄的氧化層使晶體管能夠更迅速地開關，但是也增加了從柵極到基底氧化層的漏電流。隨著工藝尺寸的減小，邏輯門長度越來越短，這些漏電流在增大，如圖3 所示。

圖3. 靜態功耗隨著工藝尺寸的減小而顯著增大
Altera 主要采用5 種方法來降低漏電流，如表3 所示。

所有方法都對性能有影響，使晶體管不能以最大速率工作。然而， Altera 進行了明智的選擇，在晶體管級以性能換取低功耗，維持器件總體性能不變。通過分析除了上面介紹的5 種方法， Altera 采用了其獨特的可編程功耗技術來降低靜態功耗。這一專利功能內置在Stratix IV 器件芯片中，使Quartus® II 開發軟件能夠根據設計要求，改變晶體管Vt，以平衡性能和功耗。圖4所示為可編程功耗技術的高級實現， Quartus II 軟件根據時序驅動的編輯功能分析用戶FPGA 設計，選擇邏輯陣列中的哪些晶體管應該采用高速模式，哪些應該采用低功耗模式。通過改變跨過反向偏置電壓的晶體
管Vt，減小了時序不重要通路上的晶體管泄漏( 增大Vt)，從而實現了低功耗，同時在需要的地方保持高性能不變。

圖4. 可編程功耗技術 (1) 通過設置晶體管反向偏置，平衡了功耗/ 性能。
注釋：
(1) 這是可編程功耗技術非常簡單的“模型”。實際情況各種各樣，并擁有專利。
為降低器件的動態功耗，在40-nm 器件上， Altera 將以前器件系列使用的1.1V 內核電壓降到了0.9V。晶體
管開關期間消耗的功率與V2C ( 其中， C 是電容) 成正比，因此，降低供電電壓會導致動態功耗按平方比
例下降。
減小內核電壓也會影響晶體管性能，但是Altera 再次利用了40-nm 節點的高性能特性來保持器件級性能不變。如前所述，和以前的工藝節點相比， Altera 在40-nm 節點某些晶體管上具有更強的驅動能力， IC 設計人員能夠在驅動能力和降低功耗上達到平衡。
此外， Altera 在其收發器上降低了每個發送器和接收器通道的功耗，進一步降低了總功耗。Altera Stratix
IV FPGA還通過動態片內匹配(OCT) 技術降低了有功功耗。采用動態OCT后，可以根據需要來接通或者關斷Altera 器件中的匹配電阻。在存儲器讀/ 寫周期中，關斷不需要的匹配電阻，去掉了電阻上的壓降，對于72 位接口，功耗能夠降低1.2 瓦。
表3. Altera 降低漏電流采取的方法
方法對降低功耗的影響對性能的影響
通過攙雜提高晶體管Vt 降低源極至漏極漏電流提高了晶體管接通電壓，降低了開關速度。
增大晶體管溝道長度降低源極至漏極漏電流降低了晶體管開關速度
采用更厚的邏輯門氧化層降低柵極至基底漏電流提高了晶體管Vt，降低了開關速度。
通過可編程功耗技術提高晶體管Vt 降低源極至漏極漏電流提高了晶體管接通電壓，降低了開關速度。
降低VCC 降低總漏電流降低了開關速度
5
總之， Altera 在Arria II GX 器件上采取低功耗技術后，實現了帶有3.75-Gbps 收發器、功耗最低的FPGA，其功耗比競爭器件低65％。對于Stratix IV FPGA，采取低功耗措施后，和65-nm Stratix III FPGA 中實現的相似設計相比，總功耗( 待機功耗 + 動態功耗) 平均降低了30％。
從技術領先到平穩提高產量成功推出首款40-nm FPGA 是非常重要的事件，但是Altera 的目標不止于此，還要象以前工藝節點產品那樣，實現高質量可靠交付。通過努力， Altera 依靠其可靠的開發實踐，包括強大的測試芯片計劃、嚴格的器件檢驗程序以及在提高產量上的獨特優勢，獲得了極大的成功。所有這些方面都得到了業界堅實的代工線合作伙伴的有力支持。
Altera 的代工線合作伙伴TSMC 是代工線市場的領先者。在專業代工線領域，TSMC 占據了50％以上的世界市場份額，年度研究和開發投入超出最相近競爭對手55％。這些投入使TSMC 在光刻和可生產性設計(DFM) 方面占據了業界領先位置，進一步保證了TSMC 能夠成功交付高級工藝節點產品。最重要的是，在40-nm 節點， TSMC 是浸入式光刻技術的領先者，該工藝結合光刻透鏡和清澈液體，透過分辨率更高的光線，實現了更小、封裝更緊湊的器件。浸入式光刻是大部分半導體公司開發45-nm 節點及后續節點技術所選用的工藝，普遍認為也是32-nm 節點要采用的技術。
和TSMC 一起， Altera 積極組織了多個聯合工藝開發團隊，以解決工藝開發面臨的各種問題，包括功耗/性能、建模、測試芯片規劃、存儲器、可靠性、聚乙烯熔絲、DFM、RF/ 模擬、ESD 和封裝等。所有團隊在雙方產品交付和先進性上達成一致，精誠合作，堅持到底。
業界最可靠的測試芯片技術Altera 的實踐表明，在130nm、90nm 和65-nm 器件生產中，對于新半導體工藝體系結構和器件特性的早期評估以及精細加工，測試芯片技術是非常有價值的工具。這一策略使Altera 的器件產量穩步上升，已經證明是可編程邏輯行業最具特色的一點。在40-nm 節點， Altera 以可靠的9 種測試芯片計劃為其最新一代產品獲得成功再次建立了強大的基礎。
由于需要大量的模板，采用測試芯片意味著較大的投入。Altera 與TSMC 密切合作，保持了工藝效率，降低了成本。例如， TSMC 自己制造大量的測試晶片，全面進行特性測試，調整制作方法，然后監控產品。
通過密切合作，在代工線晶片早期階段實現了“背負式”測試結構，縮短了Altera 產品投產時間，使客戶能夠盡早使用最先進的技術。同樣的，在Altera 的幫助下， TSMC 能夠有機會使用其模板進行更多的測試。結果對雙方都有好處。
通過采集并分析測試芯片數據， Altera 深入研究了各種隨機和系統偏差的影響，開發設計策略來降低甚至消除這些不利影響。Altera 在測試芯片上的大量投入幫助客戶避免了前沿半導體設計中的風險。對風險管理的關注展示了Altera 在可靠交付新技術產品上的承諾， Altera 不會中斷或者以有限的產量向客戶供貨，也不會提供達不到要求的產品。