存儲器卡接口電平轉換與信號保護

圖1所示電路給出MAX13030E-MAX13035E邏輯電平轉換器IC在存儲卡信號邏輯電平轉換中的應用，并可保護信號避免在±15kV HBM (人體模型) ESD沖擊情況下損壞。例如，MAX13035E可從任意存儲卡控制器(如基帶處理器、應用處理器或多媒體處理器)獲得1.8V信號，并自動將其轉換到3.3V。該器件可進行雙向電平轉換(3.3V轉換為1.8V)，適用于SD卡、MMC、Transflash? (microSD)、MiniSD、記憶棒、記憶棒PRO以及類似的存儲卡。

這些器件采用獨特的設計架構，無需使用方向(DIR)或寫/讀(W/R)控制端指示數據方向，具有如下好處：首先，只需極少的信號線，可大大減小MAX13035E系列的封裝尺寸，采用2mm x 2mm、16焊球UCSP封裝。其次，原本用于指示信號方向的基帶處理器I/O可用作其它目的，由于減少了數據線，可以獲得緊湊的電路板布局。

MAX13035E專有的設計架構還可利用內部電流源檢驗高阻輸入時的總線狀態，這種設計無需外部上拉或下拉電阻。通道間可相互轉換，并且兼容高達50MHz (100Mbps)的CMOS推挽信號和200kHz (400kbps)的開漏信號。這一靈活性非常適合MMC存儲卡接口的漏極開路應用(初始化模式)。

當VCC VL，如VCC斷開時，MAX13035E和MAX13030E系列的其它器件都將關斷。MAX13030E-MAX13034E帶有一個EN引腳，驅動該引腳為低時，器件處于低功耗關斷狀態。MAX13035E沒有EN引腳，但可利用CLK_RET引腳代替，將時鐘信號反饋至主處理器，如圖2所示。某些SD卡控制器可利用該信號提高性能。

MAX13015E系列器件在VCC側的所有I/O端都提供高達±15kV (HBM)的增強ESD保護功能。需采用一只1μF的陶瓷電容旁路VCC，確保滿足ESD保護要求。

圖1電路還給出了如何采用MAX3202EE對CARD_DETECT信號和WRITE_PROTECT信號提供ESD保護。采用該電路時，推薦使用由SD卡連接器提供的CARD_DETECT，而不是DAT3的上拉電阻。這是因為MAX13035E不支持卡檢測的上拉。