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    智能功率開關電源IC設計

    作者: 時間:2013-08-09 來源:網絡 收藏

    1 引言

    本文引用地址:http://www.czjhyjcfj.com/article/174843.htm

    是近幾年電源市場的焦點之一,它最大的優點是大幅度縮小變壓器的體積和重量,這樣就縮小了整個系統的體積和重量。一般說來,的重量是線性電源的1/4,相應的體積大概是線性電源的1/3。所以對低檔的線性電源,尤其是20W以下的線性電源構成了威脅,大有取而代之之勢。但是傳統的開關電源除了PWM 和MOSFET之外還包括50個左右的分立元件,這不但增加了成本、體積,而且還使可靠性受到了影響。這主要是生產工藝上的原因,開關電源在集成化上一直沒有突破。

    近幾年,隨著生產工藝技術的成熟,已經能將低壓控制單元和高壓大管集成到同一塊芯片之中。TI、ON Semiconductor、Power、 Integrations等公司都已經有類似的產品,而國內則幾乎是一片空白。由于開關電源在體積、重量、效率以及可靠性上的優勢,它的研究和發展速度是驚人的。其主要應用領域有:①郵電通信:作程控交換機、移動通信基站電源;②:作為各種PC機、服務器、工業控制機的開關電源;③家用電子產品:目前使用開關電源的家用電子產品有電視機、影碟機等;④其他行業:如電力、航天、軍事等領域。

    根據工藝的發展和市場的需要,將核心部分MOSFET和低壓PWM控制器集成在一塊芯片中。同時,還具有過熱保護、過壓保護、欠壓鎖定、自動重啟動、過流保護等功能。這種新型的開關電源集成電路給電源系統帶來了很多優勢。該芯片交流輸入可直接從電網接入,應用功耗低,成本低,體積小,同時還提高了系統的穩定性,降低了成本,使電子工程師的設計更加簡單。該芯片可用于驅動一個單端接地電源系統,如接一個振蕩回掃的二次線圈變壓器后輸出一直流電壓。

    2 工作原理

    此開關電源為一中頻集成模塊,設計頻率為 100kHz,最大占空比為70%,它包括一個恒頻脈寬調制器和一個高集成度電源開關電路,其結構如圖1所示。這個組合開關的高壓側可對從85~265V的交流電壓進行連續控制,可以應用于多數常規電源系統。

    通過一個光電耦合管,將負載變化情況反饋到芯片內部,反饋信號在2.7k的電阻上產生電壓降,經過7kHz的低通濾波器,把高頻開關噪音濾掉,以直流電壓形式輸入到PWM模塊進行調節,產生占空比隨反饋信號變化的脈沖波,通過驅動電路驅動功率MOSFET,從而實現了PWM的調節。除此之外,功率MOSFET的源極接一電阻,來實現每周期的限流保護。

    正常情況下,1/8分頻器輸出信號使得功率 MOSFET導通,若故障發生,它的輸出信號使得功率MOSFET關斷,并且它自身開始計數,第1 個周期,功率MOSFET導通。若沒有排除,以此規律循環下去;若故障排除,則進入正常工作狀態。該IC外接變壓器,實現AC-DC功能后,不同規格的變壓器可獲得不同的直流電壓。

    3 內部功能模塊介紹

    3.1 振蕩器電路

    如圖2所示,該振蕩器利用兩個比較器輪流導通,對電容進行充放電,獲得了在電壓在2.7~4.1V震蕩的鋸齒波。其設計頻率為100kHz,占空比為 70%。對電容充放電時,利用MOS管飽和區工作電流恒定的原理,實現恒流充放電。其等效簡化電路模型如圖3所示。充電時,開關S合到3端,可得

    DQ=DU×C (1)

    且DU=4.1-2.7=1.4v (3)

    式中,C = 40pF, IP=18.6mA,可以計算出T P=3ms。 放電時,開關S打到8端,可得

    nbsp; 式中,IN=8mA,可以計算出 TN =7ms。

    T=Tp+T N=10ms (5)

    占空比的設計也是需要考慮的,當占空比提高后,整個IC及外接電路構成的電源效率都會提高。

    但是又不能無限的提高,使之接近100%,這主要是變壓器磁通的建立和恢復是有時間限制的。同時,長時間的導通,功率MOSFET容易燒壞。

    3.2 偏置電路

    該電路采用三管能隙基準電源,如圖4所示。 T2的發射極電壓如式(6)所示。由公式可知,利用等效熱電壓 Vt的正溫度系數和Vbe 的負溫度系數相互補償,可使輸出基準電壓的溫度系數接近為零 (由于T6和T2的Vbe相同,所以輸出電壓 Vref和T2發射極電壓相同)。

    3.3 PWM調制電路

    由光耦管耦合過來的反應負載變化情況的信號首先經過一個7kHz的低通濾波器,然后送到PWM比較器和振蕩器產生的鋸齒波進行比較,從而實現脈寬調制。該低通濾波器的頻率響應為

    可作為設計參數使用。

    3.4 過壓保護,欠壓鎖定電路

    設計的內部電路工作電壓環境為7.5~8.6V,該電路如圖5所示,由比較器C1,C2和電阻R1 、R2、R3、R 4組成。由于遲滯比較器的作用,當Vcc 處于7.5~8.6V時,IC正常運行。當Vcc >8.6V時,C1輸出高電平,直接使放電NMOS管導通,進行放電。該NMOS管設計得比較大,這樣可以迅速地放電,使IC及時地回到安全狀態。若該 Vcc故障仍然存在,將用八分頻計數器來計數。這個八分頻計數器使得功率MOSFET關閉,電容將在8個連續周期內反復充放電,8個周期后,若故障排除,整個IC進入正常工作狀態,功率MOSFET開通。這種設計可大大減少功率MOSFET的耗散功率。當內部工作電壓Vcc7.5V時,C1輸出一低電平,關閉驅動,同時驅動高壓啟動電路,對外接10μF電容進行充電。同時,該低電平也送入計數器計數,這樣便實現了自啟動功能。一般說來Vcc 7.5V,是由負載短路或過載引起電源變壓器的附加線圈輸出電壓失落,沒有足夠的電壓對芯片供電所致。

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