LED散熱基板的設計及工藝分析

　　而在更高功率LED應用的前提下，具高導熱S數的氮化鋁(170-230W/mK)將是散熱基板的首選材質，但厚膜印刷之金屬層(如高溫銀膠)多需經過高溫(高于800oC)燒結工藝，此高溫燒結工藝于大氣環境下執行易導致金屬線路與氮化鋁基板間產生氧化層，進而影響線路與基板之間的附著性；然而，薄膜工藝則在300℃以下工藝之條件下備制，無氧化物生成與附著性不佳之疑慮，更可兼具線路尺寸與高精準度之優勢。薄膜工藝為高功率氮化鋁陶瓷LED散熱基板創造更多應用空間。

　　4、結論

　　以上我們已將LED散熱基板在兩種不同工藝上做出差異分析，以薄膜工藝備制陶瓷散熱基板具有較高的設備與技術，需整合材料開發門檻，如曝光、真空沉積、顯影、蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering)電鍍與無電鍍等技術，以目前的市場規模，薄膜產品的相對成本較高，但是一旦市場規模達到一定程度時，必定會反映在成本結構上，相對的在價格上與厚膜工藝的差異將會有大幅度的縮短。

　　在高效能、高產品品質要求與高生產架動的高功率LED陶瓷基板的發展趨勢之下，高散熱效果、高精準度之薄膜工藝陶瓷基板的選擇，將成為趨勢，以克服目前厚膜工藝產品所無法突破的瓶頸。因此，可預期的薄膜陶瓷基板將逐漸應用在高功率LED上，并隨著高功率LED的快速發展而達經濟規模，此時不論高功率LED芯片、薄膜型陶瓷散熱基板、封裝工藝成本等都將大幅降低，進而更加速高功率LED產品的量化。